نتایج جستجو برای: اکسید ایندیوم آلاییده با قلع ito

تعداد نتایج: 675407  

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شیراز - دانشکده علوم 1391

اکسید ایندیوم in2o3 بطور ذاتی یک نیمه رسانای شفاف است که خواص الکتریکی واپتیکی آن رامی توان با افزودن ناخالصی به آن تغییر داد. این خواص به نوع ناخالصی حساس اند و با افزودن ناخالصی به آن به رسانایی بالاتر و مقاومت سطحی کمتر می رسیم. برای مثال افزودن قلع به آن سبب می شود بخاطر چگالی بالای الکترونهای آزاد در باند رسانش رفتار شبه فلزی از خود نشان دهد. اکسید ایندیوم قلع به این دلیل که به طور هم زمان...

پایان نامه :دانشگاه آزاد اسلامی - دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران مرکزی - دانشکده علوم پایه 1390

در این پایان نامه ما به بررسی روش های عملی ساخت تماس های اهمی بین فلز و نیمه هادی و کاهش مقاومت تماس بین آنها به منظور کاربرد در افزاره های نیمه هادی به ویژه سلول های خورشیدی پرداخته ایم. در ابتدا به فیزیک حاکم بر مسئله اشاره شد و سعی کردیم تا علت ناکارآمد بودن دقیق تئوری را در بعضی موارد روشن کنیم و بعد از آن به راهکارهای عملی ایجاد تماسهای با کیفیت بالا پرداخته ایم. لایه نازک cr و اکسید این...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تبریز - دانشکده فیزیک 1388

لایه­های نازک اکسیدی فلزی مانند اکسید ایندیم آلاییده با قلع (ito) دارای ویژگی­های منحصربفردی از قبیل رسانندگی خوب، تراگسیلندگی اپتیکی بالا در ناحیه مرئی، چسبندگی عالی به زیرلایه، پایداری شیمیایی و خواص فوتوشیمیایی هستند. این خواص از رفتار نیمرسانای تبهگن نوع n و گاف باندی پهن آنها ناشی می­شود. بنابراین لایه­های نازک ito به طور گسترده در سلول­های خورشیدی، ابزارهای فوتوولتائیک، نمایشگرهای صفحه تخ...

ژورنال: مواد نوین 2019

     ساختارهای دی اکسید قلع (SnO2) خالص و آلاییده شده با روی (Zn doped SnO2)  به روش سولوترمال سنتز شدند. در این روش، سنتز اکسیدهای فلزی بدون استفاده از مواد افزودنی دیگر و تنها با انتخاب پیش ماده­های جدید در حلال بر پایه اوره انجام گرفت. حلال مورد استفاده در این روش می­تواند به عنوان عامل کنترل کننده شکل و اندازه برای جلوگیری از رشد بیش از اندازه ذرات مورد استفاده قرار گیرد.  علاوه بر آن با مت...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه بوعلی سینا - دانشکده علوم پایه 1392

در این تحقیق، لایه های نازک اکسید ایندیم قلع (ito) به روش تبخیر با پرتو الکترونی واکنش پذیر بر روی زیرلایه های شیشه ای لایه نشانی شده اند. لایه های نمونه با ضخامت های اسمی 50، 100، 170 و 250 نانومتر با نرخ انباشت ثابت nm/s 10/0 تهیه شدند. دمای زیرلایه ها در خلال لایه نشانی در دمای 400 درجه سانتیگراد ثابت نگه داشته شد. از تکنیک بازتاب سنجی اشعه ایکس (xrr) با زاویه نور خراشان، برای مشخصه یابی ...

پایان نامه :دانشگاه آزاد اسلامی - دانشگاه آزاد اسلامی واحد شاهرود - دانشکده فنی 1391

در تحقیق حاضر سنتز و بررسی خواص نانوساختارهای اکسید قلع ایندیم (ito) به روش شیمیایی تر مورد مطالعه قرار گرفته است. نانوذرات اکسید قلع ایندیم با استفاده از نمک های کلرید قلع و کلرید ایندیم و عامل رسوب دهنده آمونیاک به دو روش سل – ژل و هم رسوبی تهیه شدند. با استفاده از روش سل – ژل نانوذرات اکسید قلع ایندیم در دماهای مختلف سنتز شدند و تاثیر تغییر دما بر نانوذرات سنتز شده مورد بررسی قرار گرفت. در ر...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تربیت مدرس - دانشکده علوم پایه 1393

در کار اول از پروب پلی فنیل پیرول نانو ساختار پوشش داده شده به روش الکتروشیمیایی بر روی سطح شیشه های هادی فلوئور تین اکساید (fto) برای اندازه گیری غلظت کاتیون مس (ii) و آنیون یدید استفاده -گردید. بهره گیری از پلیمرِ هادی و دارای نشر فلورسانس باعث می گردد تا علاوه بر بر هم کنش های معمول بین آنالیت و پروب، با اعمال پتانسیل های الکتریکی مختلف شدت و گزینش پذیری پروب را کنترل نمود، و از آن به عنوان ی...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تربیت مدرس - دانشکده علوم پایه 1392

در این تحقیق لایه های نانوساختار دی اکسید قلع خالص و آلاییده با مس (wt%2.03، wt%3.52، wt%4.21، wt%4.97) به منظور بررسی اثر آلایندگی مس بر روی میزان حسگری لایه نانوساختار دی اکسید قلع نسبت به گاز مایع (lpg) ساخته شد. لایه های مورد نظر با استفاده از روش های سل– ژل و پوشش دهی چرخشی بر روی زیرلایه های شیشه ای لایه نشانی شدند. برخی خصوصیات ساختاری این لایه ها از قبیل تشکیل ساختار بلوری، اندازه دانه ...

ژورنال: علوم و فناوری رنگ 2013

در این تحقیق، ماده نورتاب سولفید روی با دوپنت نقره (ZnS:Ag) بر روی شیشه اکسید قلع ایندیم (ITO) به روش الکتروفورزیس جریان مستقیم (DC-EPD) پوشش‌دهی شدند. آزمایش‌ها نشان داد که چگالی جریان عامل مهمی در این لایه‌نشانی می‌باشد و باید در محدوده mA/cm2 0.22-0.11 قرار بگیرد تا علاوه بر جلوگیری از تخریب لایه ITO، پوششی با کیفیت مناسب حاصل شود. سه عامل مهمی که بر چگالی جریان تاثیر داشتند یعنی افزودنی، زم...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید