نتایج جستجو برای: خواص دی الکتریک
تعداد نتایج: 46082 فیلتر نتایج به سال:
گرافن یک لایه منفرد با شبکه لانه زنبوری از اتم های کربن است که به خاطر پتانسیل کاربردی جالب آن در نانوالکترونیک به سرعت مورد توجه قرار گرفت. فرمیون های دیراک در گرافن فاقد جرم هستند و دارای سرعت می باشند. همچنین رسانندگی در گرافن وابستگی خطی به چگالی الکترون ها دارد به علاوه اثر کوانتوم هال غیر عادی نیز در آن مشاهده می شود. تابع دی الکتریک نقطه کوانتومی گرافن تحت یک فشار محوری با استفاده از تئو...
در این مقاله آنتن صفحه فرنل بالایه دی الکتریک و حلقه های فلزی چاپ شده روی آن در حالت فرستندگی و جریان های معادل مغناطیسی برای میدانهای تابیده شده از تغذیه میدان دور پترن و بهره این آنتن بررسی و میدان تغذیه با مدل مناسبی تقریب زده شده است در این مدل تغذیه بدون مولفه پلاریزاسیون متقابل با بهره متغیر در نظر گرفته شده است این بررسی با نتیجه تجربی ساخت چند نوع آنتن مقایسه شده است .
استفاده از روش آزمون غیرمخرب برای آزمون انواع مواد، پیوسته در حال گسترش است. رادار نفوذی زمین یکی از روش های غیر مخرب آزمون مواد بر پایه استفاده از امواج الکترومغناطیسی می باشد که کاربرد آن در زمینه چوب و مواد چوبی سابقه چندانی ندارد. در این مطالعه از روش رادار نفوذی زمین (GPR) برای بررسی معایب داخلی چوب 3 گونه پهن برگ داخلی در 3 رطوبت مختلف استفاده شد. به منظور حذف عوامل تاثیر گذار بیرونی و نا...
کوردیریت و کامپوزیت های پایه کوردیریتی در سال های اخیر اهمیتی بسیاری یافته اند. استفاده از مواد کوردیریتی در کاربرد هایی که هدایت حرارتی بالا، ضریب دی الکتریک پایین، استحکام نسبی در دمای بالا و ضریب انبساط حرارتی مناسب مشخصه اصلی آن ها هستند، سبب شده است که کامپوزیت های پایه کوردیریتی نیز مورد توجه قرار گیرند. نیتریدآلومینیوم نیز به عنوان یکی از مهم ترین تقویت کننده هایی است که در بحث کامپوزیت ...
در این پژوهش زینتر تفجوشی سرامیک Li2TiO3 به دو روش معمولی و مایکروویو انجام شد. بیشینه چگالی g/cm3 08/3 (58/90 درصد چگالی تئوری) به روش زینتر تفجوشی معمولی در دمای ˚C1200 و با زمان نگهداری 3سه ساعت بهدست آمد در حالیکه بیشینه چگالی g/cm3 12/3 (76/91 درصد چگالی تئوری) به روش زینتر تفجوشی مایکروویو در دما...
محلول های جامد zro2-sno2-tio2 ترکیبات مهمی برای کاربردهای مشدد های دی الکتریک هستند. از این میان ترکیب (zr0.8sn0.2)tio4 به عنوان ماده ای با خواص بسیار مناسب شناخته شده است اما سینتر پذیری ضعیف آن منجر به عدم امکان متراکم سازی آن در دماهای پایین می شود. در پژوهش حاضر رفتار اکسید مس به عنوان افزودنی موثر بر سینتر پذیری این ترکیب بررسی شد. استفاده از واکنش حالت جامد اکسید های اولیه و اکسید مس در م...
در ادامه رفتار مد نقص نسبت به دما مطالعه شده است. نتایج نشان می دهد که با افزایش دما، ارتفاع مد نقص کاهش پیدا می کند. و موقعیت آن به سمت فرکانس های بالاتر جابجا می شود. اثر اتلاف در ساختار نامتقارن برجسته تر می باشد. در واقع اندازه ی پیک مد نقص در طیف تراگسیلی، نسبت به ساختار متقارن بسیار کمتر می باشد. در صورت افزایش دما میزان کاهش ارتفاع مد نقص در بلور فوتونی دارای نقص pb1-xsnxte بسیار بیشتر ا...
در این پژوهش خواص الکترونیکی شامل: ساختار نواری، گاف انرژی، چگالی حالت ها وچگالی ابر الکترونی، و نیز خواص اپتیکی از جمله: ضریب شکست، ضریب خاموشی، هدایت اپتیکی و تانسور دی الکتریک فازهای مختلف بلور mgsio3با تقارن های pbca ، pnma و cmcm محاسبه شده است. محاسبات با تقریب شیب تعمیم یافته (gga) در چهارچوب نظریه ی تابعی چگالی(dft) انجام شده است. به طور کلّی محاسبات کار حاضر نشان می دهد، با افزایش فشار...
بلور مایع های نماتیک در ساخت ابزارهای فوتونیکی به ویژه در صفحات نمایشگر تخت مورد استفاده قرار می گیرند، وجود یونهای ناخالصی بدونه توجه به سرچشمه آنها باعث بروز مشکلات فراوانی در صنایع تولید صفحات نمایشگر می شود. یونهای ناخالصی یک میدان برهم کنشی داخلی اضافی تحت اعمال میدان خارجی در سلول بلور مایع ایجاد می کنند که باعث بروز مشکلاتی از جمله کاهش در اندازه میدان در دسترس و افزایش در ولتاژ آستانه، ...
در این تحقیق، اثر پلاسمای اعمالی با گازهای کاری متفاوت بر میزان نیترات موجود در آب بررسی شده است. برای تولید پلاسما از منبع تغذیه (15kv-27khz) استفاده شده است. مشاهده گردید که اعمال پلاسمای هوا در ساختار تخلیه سد دی الکتریک بر محلول پتاسیم نیترات، منجر به افزایش غلظت نیترات موجود در محلول شده در حالی که در مورد پلاسمای آرگون تولیدی در حباب با ساختار دو الکترود میله ای، تاثیری در میزان آن مشاهده...
نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال
با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید