آشکار ساز نوری فلز-نیمه رسانا-فلز (msm) در سیستم های مخابرات نوری مدرن به کار می رود. به دلیل ساختار هندسی تخت، این آشکار ساز دارای ظرفیت خازنی پایین تر نسبت به دیگر انواع آشکار ساز ها می باشد و این منجر به زمان تاخیر کوچکتر و در نتیجه، دارای پهنای باند بزرگتری می باشد. در این پایان نامه، رفتار آشکار ساز نوری با استفاده از معادلات پیوستگی در یک بعد، برای هر دو حالت پایا و دینامیک (وابسته به زما...

چکیده ندارد.

آزمایشات به منظور تعیین غلظت نیمه کشنده فلز روی درماهی کپور انجام شد. آزمایشات به روش آب ساکن  درمدت 96 ساعت اجرا شد. 12 قطعه بچه ماهی کپور با وزن متوسط 2±3 گرم درمعرض غلظت های مختلفی از سولفات روی (270و 250، 200 ، 150، 90 ، 65 ، 30 ، 0 میلی­گرم درلیتر) قرار گرفتند. از نمک سولفات روی بعنوان روی در آزمایشات استفاده شد. یک گروه نیز بعنوان شاهد در نظر گرفته شد. تحت شرایط ثابت و هوادهی غلظت نیمه کش...

در مطالعه حاضر، ویژگی‌های ساختاری، الکترونی و مغناطیسی ساختارهای بلوری Mn2AlCu و Ti2CuHg از ترکیب هسلر کامل TaGa2Co، با استفاده از محاسبات اصول اولیه در چارچوب نظریه تابعی چگالی مطالعه شدند. نتایج نشان می‌دهند که حالت پایة این ترکیب دارای ساختار بلوری از نوع Mn2AlCu با نظم فرومغناطیسی و گشتاور مغناطیسی µB00/2 است. نتایج محاسبات ساختار الکترونی نشان می‌دهند که حالت پایه دارای خاصیت نیمه فلزی با ...

در این مطالعه جذب زیستی فلز کادمیم از پسابهای صنعتی توسط سویه های قارچی جدا شده مطالعه شد. برای این منظور نمونه های پساب کارخانه های سرب و روی زنجان جمع آوری شد. سپس سویه های مقاوم به کادمیم (مخمر و یک کپک) با کشت در محیط bhi آگار حاوی سولفات کادمیم جداسازی شدند. پس از تهیه توده زیستی زنده و کشته شده اثر ph، غلظت اولیه فلز کادمیم و زمان تماس با فلز بررسی شد. در این بررسی مشخص شد که توده زیستی ک...

اکسید روی نیمه¬رسانایی غیرمغناطیسی است. در ده¬های گذشته از این ماده برای ساخت نیمه-رساناهای مغناطیسی رقیق استفاده می¬شد. برای ساخت این مواد، اکسید روی را با عنصری مغناطیسی می¬آلایند. اما در سالهای اخیر گزارش¬هایی مبنی بر بروز خاصیت مغناطیسی در اکسید روی بدون آلاییدن با عناصر مغناطیسی شده است. این مشاهدات محققین را بر آن داشت تا تلاش خود را معطوف به تحلیل و درک این پدیده کنند. ما نیز برای درک ...

در ترانزیستورهای فلز-اکسید-نیمه رسانای مکمل (cmos) ضخامت گیت اکسید سیلیکون 1 تا 2 نانومتر است. کاهش ضخامت به 1 نانومتر برای تولیدات آتی این ترانزیستورها سبب افزایش جریان تونلی و همچنین جریان نشتی می گردد. از جمله مواد مناسب اکسید هافنیوم است که ثابت دی الکتریک بالایی دارد، گاف نواری آن پهن بوده و در تماس با زیرلایه سیلیکونی دارای تعادل حرارتی است. در کار حاضر فرایندهایی در جهت سنتز hfo2 به کار ...