نتایج جستجو برای: ولتاژ گیت وابسته به درین

تعداد نتایج: 688214  

ژورنال: :مهندسی مکانیک مدرس 2015
وهاب خوشدل علیرضا اکبرزاده توتونچی

در این مقاله‏، از یک روش کنترل امپدانس مقاوم جدید برای ربات توان بخش با استفاده از استراتژی کنترل ولتاژ استفاده شده است. در روش های مبتنی بر راهبرد کنترل گشتاور، سیستم کنترل به دینامیک ربات و دینامیک پای بیمار وابسته می شود که آن نیز غیر خطی، همراه با عدم قطعیت فراوان و برای هر بیمار متفاوت است. در حالی که کنترل بر مبنای ولتاژ به مدل دینامیکی ربات و پای بیمار وابسته نبوده و در آن دینامیک محرکه ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی اصفهان - دانشکده برق و کامپیوتر 1394

امروزه با پیشرفت تکنولوژی و تمایل به مجتمع سازی مدارات الکترونیک قدرت، نیاز به کاهش اندازه ی المان های غیرفعال مدار و درنتیجه کاهش حجم و وزن این مدارات بیشترشده است. پارامترمهم و تاثیرگذار جهت دستیابی به این اهداف افزایش فرکانس کلیدزنی می باشد. باتوجه به این که تمایل به بالارفتن سرعت پردازنده ها نیزوجود دارد، بالارفتن فرکانس به سریع ترشدن پاسخ حالت گذرای مدار نیز کمک خواهدنمود. درکنار این مزایا...

ژورنال: مجله سلامت جامعه 2020

مقدمه: تأثیر گیت به عقب بر متغیرهای بیومکانیکی راه رفتن بیماران دچار استئوآرتریت زانو ناشناخته‌اند. هدف این مطالعه تعیین تأثیر پروتکل تمرینی گیت به عقب بر پارامترهای فضایی- زمانی- مکانی راه رفتن بیماران دچار استئوآرتریت داخلی زانو است. مواد و روش‌ها: این تحقیق نیمه تجربی با طرح پیش­آزمون-پس آزمون در دو گروه کنترل (سالم مرجع و بیمار شاهد) و یک گروه تجربی انجام ...

ژورنال: :مهندسی برق دانشگاه تبریز 0
محمد آسیایی دانشگاه دامغان - دانشکده فنی و مهندسی

در این مقاله یک مدار دومینو جدید برای کاهش توان مصرفی گیت های عریض بدون کاهش چشم گیر سرعت پیشنهاد می شود. در تکنیک مداری پیشنهادی از مقایسه جریان شبکه پایین کش با جریان مرجع جهت تولید خروجی مناسب استفاده می شود. بدین طریق دامنه تغییرات دو سر شبکه پایین کش کم شده و توان مصرفی کاهش می یابد. همچنین از یک ترانزیستور در حالت دیودی به صورت سری با شبکه پایین کش استفاده شده است تا جریان نشتی زیر آستانه...

ژورنال: :نشریه دانشکده فنی 2006
سیدمحمدتقی فاطمی قمی میرمهدی سیداصفهانی ابوالفضل میرزازاده

در این تحقیق نرخ های تورم تابعی از زمان فرض می شوند. نرخ تقاضا نیز وابسته به نرخ های تورم است. کالا فاسدشدنی بوده و کمبود مجاز است. سطح موجودی در طول افق زمانی با استفاده از معادلات دیفرانسیل مورد ارزیابی قرار گرفته و بر مبنای روش ارزش فعلی مسأله مدل سازی می شود. از مثال عددی جهت تشریح نتایج به دست آمده استفاده شده است. شش حالت ویژه که از مدل اصلی نتیجه گیری می شود مورد بحث قرار گرفته و با استف...

پایان نامه :دانشگاه تربیت معلم - سبزوار - دانشکده برق و کامپیوتر 1391

در افزاره های سیلیکن بر روی عایق به خاطر وجود لایه ی اکسید مدفون شده خازن های پارازیتیکی کاهش یافته اند و این موضوع باعث بالاتر بودن سرعت این ساختار نسبت به ماسفت توده شده است. با تغییر ساختار کانال این نوع افزاره ها و اعمال تنش که منجر به افزایش موبیلیتی حامل ها می گردد می توان افزاره ی سیلیکن بر روی عایق با کانال مهندسی شده را به عنوان ساختاری مناسب برای کاربرد های سرعت بالا در روند پیش رو بر...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه مازندران - دانشکده علوم پایه 1391

همچنانکه ضخامت گیت دی الکتریک ترانزیستورهای اثر میدانی فلز-اکسید-نیمه رسانا (mosfet) کمتر از 1 نانومتر می شود، مسائلی نظیر تونل زنی مستقیم الکترون و نفوذ اتم های سبک از میان گیت دی الکتریک اکسید سیلیکون مانع بکارگیری بیشتر گیت اکسید فرانازک سیلیکونی در سی ماس می شود. از میان ماده های مناسب اکسید لانتان تزریق شده با زیرکونیوم (zrxla1-xoy) می باشد. در این کار نانو بلورک های اکسید لانتان تزریق شده...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تبریز - دانشکده علوم تربیتی و روانشناسی 1390

پژوهش حاضر به بررسی نقص نظریه ذهن در اسکیزوفرنیک های دارای علایم مثبت و منفی،همشیرهای آنها و مقایسه آن با افراد سالم می پردازد.120 آزمودنی (40 فرد اسکیزوفرن ،40 فرد همشیر و40 فرد عادی)از هردو جنس به صورت نمونه گیری در دسترس از میان بیماران بستری در بیمارستان رازی و کارکنان و کارمندان آموزش و پرورش انتخاب شدند و آزمون چشم های بارون کوهن و آزمون برج هانوی را پاسخ دادند. داده های بدست آمده با استف...

در این مقاله ساختار جدیدی از ترانزیستور دوگیتی به نام ترانزیستور DM-DG ارائه‌شده است. در این ساختار با به کار بردن عایق HfO2 در مرز ناحیه کانال و درین و همین‌طور استفاده از سیلیسیم-ژرمانیوم در ناحیه سورس منجر به بهبود ساختار در مقایسه با ساختارهای متداول دوگیتی (C-DG) شده است. ناحیه عایق HfO2 به‌طور قابل‌توجهی میدان الکتریکی را در ناحیه کانال و درین کاهش می‌دهد؛ بنابراین فرآیندهای مخرب در ساختا...

بهروز مشکات, فرزاد فروزنده مهدیه حاجی بزرگی ناصر فتورائی,

بیماری‏های شریان کرونری یکی­از عوامل اصلی مرگ­ومیر است. وقتی­که این شریان دچار انسداد شود، عمل بای‏‌پس شریان کرونری صورت می‌گیرد. استفاده از ورید سافینوس انسان درین جرّاحی، مورد توجه پژوهش­گران است. درین مطالعه، نمونه‌های انسانی ورید سافینوس به وسیله­ی یک دستگاه تست تورم، تحت آزمایش تورم قرار گرفت. انبساط نمونه­ها به عنوان ورودی یک روش محاسباتی مورد بررسی قرار گرفت. در مدل‌سازی عددی بافت به صورت...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید