در این پژوهش برای اولین بار نانوذره های کلوئیدی ژرمانیوم به عنوان یک منبع نور آبی توسط یک روش ساده تهیه شده و مورد مطالعه قرار گرفته است. در این روش از ترکیب پلی وینیل پایرولیدین به عنوان ماده عامل دار کننده سطحی ذره ها و کنترل اندازه آن ها استفاده شده است. برای بررسی ویژگی های نوری نانو ذره ها تهیه شده، پرتو جذبی بازه ی مرئی- فرابنفش و پرتو نشری آن ها مورد مطالعه قرار گرفت. همچنین از روش، پرتو...

تحقیق حاضر، به طراحی، ساخت و سخت سازی پوشش نابازتابنده چندلایه بر بستره سولفید روی با استفاده از مواد ژرمانیوم و سولفید روی در بازه طول موجی ? تا ?? میکرومتر می پردازد. در قسمت اول، موادی که در این ناحیه طول موجی شفاف هستند بررسی شدند و ژرمانیوم و سولفید روی انتخاب شدند. بعد از انتخاب مواد، طراحی نرم افزاری با استفاده از نرم افزار مخصوص لایه های نازک مکلئود (macleod) انجام می شود. بعد از انجام ...

در این پژوهش آسیاب کاری به عنوانی روشی برای ساخت آلیاژهایی دوتایی mn-ga و تأثیر آسیاب کاری بر فرایند تشکیل فاز نمونه های mn:ga با نسبت 2:1 و 3:1 در زمان­های 1، 2 و 5 ساعت مورد مطالعه قرار گرفت. در نمونه­های mn:ga با توجه به نتایج حاصل شده، ترکیب­ mn1.86ga با ساختار تتراگونال و گروه فضایی i4/mmm فاز پایدار بود و هم چنین مقادیری از ترکیب mn3ga با ساختار اورتورومبیک و گروه فضایی cmca در محصول شناس...

در افزاره های سیلیکن بر روی عایق به خاطر وجود لایه ی اکسید مدفون شده خازن های پارازیتیکی کاهش یافته اند و این موضوع باعث بالاتر بودن سرعت این ساختار نسبت به ماسفت توده شده است. با تغییر ساختار کانال این نوع افزاره ها و اعمال تنش که منجر به افزایش موبیلیتی حامل ها می گردد می توان افزاره ی سیلیکن بر روی عایق با کانال مهندسی شده را به عنوان ساختاری مناسب برای کاربرد های سرعت بالا در روند پیش رو بر...

بلورهای نیمه¬هادی کاربرد وسیعی در ساخت قطعات الکترونیکی و مدارهای مجتمع دارند. ژرمانیوم یکی از بلورهای نیمه¬هادی است که در صنایع الکترونیک و مخابرات به¬صورت دیود و ترانزیستور به¬کار می¬رود. در کاربردهای الکتریکی علاوه بر این¬که ژرمانیوم باید به شکل تک¬بلور باشد، درجه¬ی خلوص آن نیز از اهمیت زیادی برخوردار است. مهم ترین تکنیک رشد این بلور نیمه-هادی، رشد از فاز مذاب و به روش چُکرالسکی می¬باشد. در ا...

یکی از پدیده های نوری که به شکل قدرتمندی در سیلیکون وجود دارد، پدیده پراکندگی رامان است. اندازه ضریب بهره رامان در سیلیکون هزاران برابر قدرتمندتر از سیلیکا است. این امر یک مزیت بزرگ برای سیلیکون به شمار می رود. اما متأسفانه پهنای باند بهره رامان در سیلیکون به حدود 100 گیگاهرتز محدود می شود. این امر نه تنها سبب محدود شدن آن در کاربردهایی با پهنای باند کم می شود، بلکه مانع از ایجاد تقویت کننده ها...

در این مقاله، ناپایداری کششی نانوتحریک کننده تیرشکل یک سرگیردار ساخته شده از مواد تابعی مدرج مدل شده است و با استفاده از تئوری مرتبه بالای گرادیان کرنش اصلاح شده مورد بررسی قرار گرفته است. نانوتیر تابعی مدرج، از ترکیب ژرمانیوم-سیلیکون ساخته شده است که کسر حجمی هر جزء و در نتیجه خصوصیات مکانیکی تیر به صورت پیوسته بر مبنایی قانون ساده توانی در راستای ضخامت تغییر می کنند. با تغییر درصد کسر حجمی جز...

در این پایان نامه روش نامتداول تولید پوزیترون، با استفاده از تابش کانالی الکترون های نسبیتی بر اثر عبور از صفحات بلورهای مختلف مورد بررسی قرار گرفته است. طیف تابش کانالی از صفحات مختلف بلورهای si،w، ge و c با انرژی و زاویه ی فرودی متفاوت با بکار بردن تقریب دویلی و تورنر برای پتانسیل های پیوسته صفحات محاسبه شده است. فرآیند کانال زنی و محاسبه طیف تابشی بر پایه حل معادله فوکر ـ پلانک انجام شده اس...

در پژوهش حاضر، پوشش‌های ژرمانیوم-کربن (Ge1-x-Cx) به وسیله فرایند رسوب‌دهی شیمیایی بخار به کمک پلاسما (PECVD) با استفاده از پیش‌ماده‌های گازی GeH4 و CH4 روی زیرلایه‌های سیلیسیومی و شیشه‌ای رسوب داده شدند. به منظور بررسی پایداری محیطی پوشش‌ها، از آزمون مه نمکی استفاده شد. به منظور مشخصه‌یابی ریزساختاری و پیوندی پوشش‌ها به ترتیب از میکروسکپ الکترونی روبشی گسیل میدانی (FESEM) مجهز به طیف‌سنج تفکیک ...

بلورهای نیمه هادی کاربرد وسیعی در ساخت قطعات الکترونیکی و مدارهای مجتمع دارند. ژرمانیوم یکی از بلورهای نیمه-هادی است که در صنایع الکترونیک و مخابرات به صورت دیود و ترانزیستور به کار می رود. در کاربردهای الکتریکی علاوه بر این که ژرمانیوم باید به شکل تک بلور باشد، درجه ی خلوص آن نیز از اهمیت زیادی برخوردار است. مهمترین تکنیک رشد این نیمه هادی، رشد از فاز مذاب و به روش چکرالسکی می باشد. یکی از قدر...