سابقه و هدف : تأثیر هایپوترمی و کرانیک تومی در کاهش آسیب های ناشی از ایسکمی در مدل تجربی انسداد دایم شریان مغزی میانی نشان داده شده است . مطالعه پیش رو به منظور بررسی اثر ترکیبی هیپوترمی موضعی تاخیری و کرانیکتومی روی حجم انفارکتوس، اختلالات عصبی و شکست سد خونی مغزی در مدل سکته مغزی روی موش صحرایی طراحی شده است. مواد و روش ها : انسداد شریان مغزی میانی روی 36 موش صحرایی نر در سه گروه کنترل، کرانی...

در این مقاله اثر مولفه قائم زلزله های حوزه نزدیک بر رفتار دینامیکی سدهای خاکی مطالعه و ارزیابی می شود. بیشتر پژوهش های انجام شده در رابطه با تاثیر زلزله های حوزه نزدیک بر رفتار دینامیکی سدهای خاکی، شامل اثر مولفه افقی آن ها است. یکی از ویژگی های مهم زلزله های حوزه نزدیک، دارا بودن مولفه قائم قابل توجه با محتوای فرکانسی بالاست که در بسیاری از موارد از مولفه افقی همان زلزله به مقدار قابل توجهی تج...

در این پایان نامه به مدل سازی اثرات کانال کوتاه در ماسفت های دوگیتی با گیت دو ماده ای پرداخته شده است. یک مدل دو بعدی برای پتانسیل کانال با استفاده از ترکیبی از روش های مد ناپایدار و روش تقریب چند جمله ای استخراج شده است. با استفاده از روش مد ناپایدار پتانسیل کانال به صورت مجموع پتانسیل یک بعدی برای حالت کانال بلند و تغییرات دو بعدی پتانسیل برای در نظر گرفتن کوتاه شدن کانال بیان شده است. تغییرا...

شبیه ­سازی یک بعدی پلاسمای تخلیه ­ی سد دی­ الکتریک صفحه ­ای با استفاده از نرم­ افزار کامسول انجام شد. تأثیر ضخامت و ضریب دی ­الکتریک، ولتاژ و بسامد اعمال­ شده به الکترودها بر تغییرات دما و چگالی الکترون مورد مطالعه قرار گرفت. نتیجه­ های به دست آمده نشان داد که افزایش ولتاژ، بسامد، ضریب گسیل الکترون ثانویه ­ی الکترود و ضریب دی­ الکتریک باعث افزایش چگالی الکترون می­ شود درحالی که افزایش ضخامت دی­...

در این مقاله نظریه تشدید تونلی در چند لایه های al(x)ga(1-x)as/gaas, بررسی شده است. طیف انرژیهای تشدید و وابستگی آن به ساختمان سد از روی منحنیهای عبور سد, برحسب انرژی و مشخصه جریان - ولتاژ در دمای مشخص و سطوح فرمی معین, آنالیز شده است. فرمالیزم حاضر براساس تقریب جرم موثر است و نتایج براساس محاسبات عددی مستقیم به دست آمده است. تا به حال توسط دیگران این محاسبات برای حالت 3 سد انجام شده است و در ای...

در این مقاله، یک lna کسکود ولتاژپایین با خطینگی بالا، با استفاده از روش تزویج مغناطیسی در باند فرکانسی 45ghz با استفاده از تکنولوژی µmrf-0.18cmos شرکت tsmc ارائه شده است. از روش تزویج مغناطیسی جهت کاهش ولتاژ منبع تغذیه و کاهش اثرات غیرخطی رسانایی درین ترانزیستور کسکود ورودی به کار گرفته شده است. به کمک یک ساختار سورس مشترک و ایجاد یک مسیر اضافی اثرات غیرخطی ترارسانایی ترانزیستور ورودی در خروجی ...