نتایج جستجو برای: گیت

تعداد نتایج: 472  

ژورنال: :مجله فیزیک کاربردی 2014
رضا قلی پور علی بهاری

نانو ساختارهای اکسید لانتان تزریق شده با زیرکونیوم به روش سُل- ژل تهیه شدند. در این کار، مقادیر مشخصی از نیترات لانتان، پروپکساید زیرکونیوم، اسیداستیک و متاکسی اتانول با هم حل شده و نانوبلورک­های به دست آمده با تکنیک­های پراش پرتو ایکس (xrd) ، میکروسکوپ الکترونی عبوری (tem) ، میکروسکوپ نیروی اتمی (afm) و میکروسکوپ الکترونی روبشی (sem) بررسی شدند. برای بررسی خواص الکتریکی و اندازه­گیری ثابت دی­ال...

ژورنال: :مهندسی و مدیریت آبخیز 2011
امیر صمدی تبریزی حمیدرضا پیروان احمد معتمد

موضوع تحقیق حاضر، بررسی رابطه بین وﻳﮋگی­های پلاستیسیته نهشته­های نئوﮊن منطقه کوه گچ آب و گیت چا در جنوب شرقی گرمسار با کیفیت فرسایش­پذیری آبی آن هامی باشد.اشکال فرسایش موجود در منطقه شامل فرسایش سطحی، شیاری، خندقی، آبراهه ای و تونلی است. عمق نمونه برداری در فرسایش های مختلف متفاوت می باشد، به طوری که در فرسایش شیاری و آبراهه ای از عمق صفر تا۳۰ سانتی متر و در فرسایش خندقی از راس خندق و  دیواره آ...

پایان نامه :دانشگاه تربیت معلم - سبزوار - پژوهشکده فنی و مهندسی 1390

در این رساله یک ساختار دوقطبی جانبی دوامیتری متقارن (sdelbjt) براساس فناوری soi طراحی شده است. این ترانزیستور دارای یک پایه دیگر به نام گیت است که با استفاده از آن می توانیم بهره جریان های متفاوت داشته باشیم، به این صورت که با اعمال ولتاژ به گیت عرض بیس آن تغییر می کند و باعث می شود برخورد حامل ها در بیس کمتر شده و راحتتر از امیتر به بیس بروند و در نتیجه بهره جریان تغییر می کند. شبیه سازی هایی ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه علم و صنعت ایران - دانشکده برق 1374

در این پروژه مطالعه کاملی بر روی الکتروموتورهای dc بدون جاروبک [ساختمان - انواع - روابط حاکم و روشهای متداول کنترل آنها]، و سنسورهای تعیین موقعیت در ارتباط با کنترل این نوع الکتروموتورها صورت گرفته است . سپس عناصر و قطعات نیمه هادی قدرت را برای فعال نمودن تغذیه الکتروموتور، بررسی نموده و در میان آنها عنصر igbt را به عنوان عنصری نزدیک به ایده آل، انتخاب و بررسی های کاملی بر روی آن انجام دادیم. د...

پایان نامه :دانشگاه تربیت معلم - سبزوار - پژوهشکده فنی و مهندسی 1392

مدل سازی جریان تونل زنی گیت ماسفت توسط شبکه عصبی

پایان نامه :دانشگاه آزاد اسلامی - دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران مرکزی - دانشکده علوم پایه 1391

در تمام اندازه گیری های آزمایشگاهی بدون شک خطا های وجود دارد که برخی از این خطاها مربوط به دستگاه اندازه گیری می باشد(خطاهای سیستماتیک) و برخی دیگر ناشی از طبیعت کاتوره ای پرتوزایی می باشد(خطاهای استوسکتیک). خطاهای دیگری وجود دارد که یا ناشی از فرد آزمایشگر است، مانند خطا در خواندن مقدار اندازه گیری، خطاهای ناشی از چشمه و هندسه آن یا اثرات محیطی، از دیگر خطاها می باشند. برای اینکه یک اندازه گیر...

ژورنال: :فن آوری زیستی در کشاورزی 0
اصغر میرزائی اصل استادیار گروه بیوتکنولوژی، دانشکده کشاورزی، دانشگاه بوعلی سینا، همدان محمد رضا عبداللهی استادیار گروه زراعت و اصلاح نباتات، دانشکده کشاورزی، دانشگاه بوعلی سینا، همدان

همسانه­سازی قطعه dna موردنظر داخل یک ناقل پلاسمیدی، یکی از مراحل تکنولوژی dna نوترکیب است. در روش­های معمول برای همسانه­سازی به آنزیم لیگاز و آنزیم­های برشی نیاز است که با محدودیت­هایی مواجه هستند. راه­کارهای متعددی برای ایجاد و اتصال دو قطعه dna مستقل بدون استفاده از آنزیم لیگاز توسعه یافته­اند که از موفق­ترین آن­ها فناوری­های گیت­وی و یوزرفرندلی هستند. فناوری گیت وی روشی سریع و مؤثر برای همسا...

پایان نامه :دانشگاه تربیت معلم - سبزوار - دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر 1390

سیلیکن کاربید (sic) یک ماده نیمه هادی باند بزرگ با خواص ماده بسیار خوب برای الکترونیک فرکانس بالا، توان بالا و دمای بالا است. در این رساله ترانزیستور اثر میدان فلز- نیمه هادی sic با ساختارهای مختلف مورد مطالعه قرار گرفته است و مشخصه های dc و فرکانس بالای افزاره ها مانند، جریان اشباع درین، ولتاژ شکست، حداکثر توان خروجی، فرکانس قطع (ft) و حداکثر فرکانس نوسان (fmax) با هم مقایسه شده است. در این کا...

پایان نامه :دانشگاه تربیت معلم - سبزوار - دانشکده مهندسی 1389

جریان تونل زنی اکسید گیت در ماسفت ها یکی از مهمترین عوامل در تحلیل و اندازه گیری پارامترهای این قطعات است. در رساله حاضر، ابتدا اثر جریان گیت در ترانزیستورهای ساخته شده در فناوری روز نیمه هادی بررسی شد و لزوم محاسبه آن ذکر شد. سپس با استفاده از مدلی جدید به محاسبه ی عرض چاه پتانسیل ایجاد شده در ناحیه ی وارونگی و همچنین تابع موج الکترون ها در واسط بین اکسید و نیمه هادی پرداخته شد. در نهایت به کم...

پایان نامه :0 1391

ما در این پایان نامه براساس منطق ترانزیستور تک الکترون و با استفاده از ترانزیستور تک الکترون سه گیت مبتنی بر نقطه کوانتومی سیلیکنی 2 نانومتر قابل عملکرد در دمای اتاق، مداراتی را برای گیتهای منطقی buffer، not، xor، xnor، and، nand، or و nor طراحی کرده ایم و عملکرد هر یک از آنها را مورد بررسی قرار داده ایم. گیتهایی که عملکردی مکمل یکدیگر دارند، دارای ساختار مشترکی هستند و فقط مقادیر ولتاژهای بایا...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید