مدلسازی و شبیه سازی شکست در mosfet های با کانال کوتاه
پایان نامه
- وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شیراز
- نویسنده صادق عباسیان
- استاد راهنما ابراهیم فرجاه
- تعداد صفحات: ۱۵ صفحه ی اول
- سال انتشار 1380
چکیده
در این پایان نامه شکست کانال و مسائل مرتبط با آن در ترانزیستور ماس فت mosfet با روش های تحلیلی ، تجربی مدلسازی وشبیه سازی شده است . کاهش طول کانال باعث می شود که جریان در ین تنها محدود به جریان گذرنده از کانال نشود ، بنابراین ابتدا به مدلسازی جریان درین پرداخته شده است و سپس با ارائه مدل تحلیلی - تجربی شکست pbt در ماس فت بررسی و اثرات تغییر ولتاژ گیت ، دما ، طول کانال و غلظت پایه برآن شبیه سازی شده اند. به منظور بررسی صحت مدلهای ارائه شده ، از شبیه سازی های انجام شده توسط نرم افزار ماس فت استفاده شده است . در ادامه مساله snapback با استفاده از مدلی تحلیلی برای ضریب تکثیر مورد مطالعه قرار گرفته است ، و نقش پارامترهایی چون غلظت پایه ، غلظتهای درین و سورس و طول کانال مورد بررسی و شبیه سازی قرار گرفته است و نشان داده شده است که تنها طول کوتاه کانال نمی تواند عامل پدید آمدن snapback باشد.
منابع مشابه
منابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده{@ msg_add @}
نوع سند: پایان نامه
وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شیراز
کلمات کلیدی
میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com
copyright © 2015-2023