گیت دی الکتریک در نانو ترانزیستورهای آنی

پایان نامه
چکیده

چکیده ندارد.

۱۵ صفحه ی اول

برای دانلود 15 صفحه اول باید عضویت طلایی داشته باشید

اگر عضو سایت هستید لطفا وارد حساب کاربری خود شوید

منابع مشابه

نانواکسی نیترید سیلیکون به عنوان یک گیت دی الکتریک مناسب در ترانزیستورهای cmos

چکیده ندارد.

15 صفحه اول

بررسی خواص اکسیدهای عناصر کمیاب خاکی به عنوان گیت دی الکتریک

  نانو ساختارهای اکسید لانتان تزریق شده با زیرکونیوم به روش سُل- ژل تهیه شدند. در این کار، مقادیر مشخصی از نیترات لانتان، پروپکساید زیرکونیوم، اسیداستیک و متاکسی اتانول با هم حل شده و نانوبلورک­های به دست آمده با تکنیک­های پراش پرتو ایکس (XRD) ، میکروسکوپ الکترونی عبوری (TEM) ، میکروسکوپ نیروی اتمی (AFM) و میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM) بررسی شدند. برای بررسی خواص الکتریکی و اندازه­گیری ثابت دی­...

متن کامل

رشد و مطالعه گیت دی الکتریک نانو ترانزیستور با آمونیاک

از زمانی که مطابق قانون مور, بکارگیری اکسیدسیلیکون حدود یک نانومتر برای نانوترانزیستورهای اثرمیدان ناممکن شده است.دی الکتریک های بسیاری نظیر اکسید و نیترید آلومینیوم اکسید زیرکونیوم,اکسید هافنیوم, اکسید تیتانیوم و مواد پلیمری مطرح شده اند. مطالعات بسیاری در دهه اخیر صورت گرفته است تا قابلیت اینگونه فیلم ها را به عنوان یک کاندیدای مناسب در تولیدات آتی قطعات الکترونیکی را بررسی کند. تقریبا تمام ا...

15 صفحه اول

و مطالعه ویژگی های الکتریکی نانوکامپوزیت های هیبریدی NiO/PVCبه عنوان گیت دی الکتریک ترانزیستور

در سال های اخیر ضخامت گیت دی اکسید سیلیکون در تکنولوژی CMOSبه کمتر از دو نانومتر رسیده است. این تمایل بی سابقه به کوچککردن ترانزیستور ها، علاوه بر مزایای فراوان تکنولوژیکی، مشکلاتیهمچون افزایش تونل زنی کوانتومی، افزایش جریان نشتی و نفوذ اتمبور از گیت دی الکتریک فرانازک را به همراه داشته است مواد نانوکامپوزیت هیبریدی آلی به خاطر ویژگی های خوب الکتریکی همچون جریان نشتی پایین و ثابتدی الکتریک بالا...

متن کامل

بررسی ویژگی‌های ساختاری و الکتریکی نانوکامپوزیت‌های دورگه‌ی Al2O3/PVP (به عنوان درگاه دی الکتریک ترانزیستورهای اثر میدانی آلی)

Al2O3/PVP nano-hybrid composite samples are synthesized using sol-gel method at 75°C. Weight percent of poly 4-vinyl phenol and aluminum oxide is 0.0, 0.28, 0.56, and 0.84. To study the nano-structural and electrical characteristics, X-ray diffraction, Fourier transfer infrared radiation, scanning electron microscopy, and atomic force microscopy are used. Dielectric constant of the samples is m...

متن کامل

مقایسه ویژگی نانو ساختاری اکسید آلومینیوم و اکسید تیتانیوم

در سال های اخیر، موادی با ثابت دی الکتریک بالا نظیر اکسید آلومینیوم و اکسید تیتانیوم به جای گیت اکسید سیلیکون فرانازک مورد مطالعه قرار گرفته اند. در کار حاضر چنین اکسیدهایی در دماهای مختلف و تحت شرایط فراخلا بر روی زیرلایه ی si(100) رشد یافته اند. نتایج بدست آمده نشان می دهند که اکسید آلومینیوم از ساختار مناسب تری نسبت به ساختار اکسید تیتانیوم برخوردار است و می تواند به عنوان یک گیت دی الکتریک ...

متن کامل

منابع من

با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید

ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده

{@ msg_add @}


نوع سند: پایان نامه

وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه پیام نور - دانشکده علوم پایه

کلمات کلیدی

میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com

copyright © 2015-2023