کاربرد روش تحلیلی در مدل سازی یک ترانزیستور soi

در این رساله یک مدل دو بعدی تحلیلی برای تغییرات پتانسیل سطح در امتداد کانال در تخلیه کامل یک ماسفت دو گیتی سیلیکن روی عایق پیشنهاد شده است تا اثرات کانال کوتاه در آن مورد بررسی قرار گیرد. ترانزیستور ما شامل دو گیت و اختلاف ولتاژ بین آن دو می باشد. ما نشان می دهیم که پتانسیل سطح در کانال یک تابع پله ای را نمایش می دهد که به منزله عدم تاثیر گذاری بایاس درین بر روی پتانسیل سطح است. این اختلاف پتانسیل منجر به خنثی کردن اثرات کانال کوتاه مانند اثر حامل های داغ و dibl می شود. نتایج به دست آمده مدل ما (ترانزیستور پیشنهادی)، با مدل ماسفت سیلیکن روی عایق تک گیتی مقایسه شده اند که نشان دهنده برتری عملکرد ترانزیستور پیشنهادی (ماسفت سیلیکن روی عایق دو گیتی) است.