تحرک پذیری الکترونها در نیمرسانای te cd0.2 hg0.8 در میدانهای الکتریکی ضعیف
پایان نامه
- دانشگاه تربیت معلم - سبزوار - دانشکده علوم پایه
- نویسنده عبدالرضا صالحی
- استاد راهنما هادی عربشاهی جواد باعدی
- سال انتشار 1388
چکیده
با حل مستقیم معادله ترابردی بولتزمن به روش تکرار، بستگی تحرک پذیری به دما و چگالی الکترونها در نیمرسانای te cd0.2 hg0.8 محاسبه و با دو نیمرسانای cdteو hgte مقایسه شده است. در محاسبه تحرک پذیری، پراکندگی از فونون های آکوستیکی، پیزوالکتریک، اتم های ناخالصی یونیده و فونون های اپتیکی قطبی برای یک نوار رسانش غیر سهموی با توابع موج ترکیبی در نظر گرفته شده است. نتایج محاسبات با داده های تجربی و محاسبه با تقریب زمان واهلش که در مقالات منتشر شده، مقایسه شده است که توافق خوبی بین نظریه و تجربه را نشان می دهد. کلید واژه: پراکندگی الکترون، تحرک پذیری الکترون، روش تکرار.
منابع مشابه
منابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده{@ msg_add @}
نوع سند: پایان نامه
دانشگاه تربیت معلم - سبزوار - دانشکده علوم پایه
کلمات کلیدی
میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com
copyright © 2015-2023