بررسی چگونگی اندازه گیری پارامترهای نیمه هادی ها به روشهای sem اثر هال و پروب چهار نقطه ای و ساخت یک نمونه آزمایشگاهی پروب چهار نقطه ای

در این پایان نامه نخست روشهای اندازه گیری برخی پارامترهای کلیدی مشتمل بر ?_(p ), ? ??_(n ,),n ,p ,n_(a ,) n_(d ) و راستای نیمه هادی وضخامت آنها در نیمه هادیها مورد تحقیق و بررسی قرار گرفته است. اولین روش استفاده از sem است که امکانات آن بصورت مبسوطی مورد مطالعه قرار گرفت و بعنوان راهی برای بقی? دانشجویان جهت پیشرفت در این مسیر عرضه شده است . در مرحله بعد روشهای هال ، پروب چهار نقطه ای و روش c-v بطور همه جانبه مورد مطالعه قرار گرفته و نمونه هایی فراهم شد و با استفاده ازسیستمهای اندازه گیری با روشهای فوق آزمایشاتی روی آنها انجام شد. مهمترین نتیجه گیری از نتایج آزمایشات فوق این بود که تعداد حاملهای حفره یک نمونه از inp در عمقهای مختلف باتعداد ناخالصی های آن که از جنس zn بودند برابر نبود. با ترسیم منحنی نمایش اطلاعات فوق نتایج جالبی به صورت زیر بدست آمد. با مشاهده تفاوت کمیتهای فوق تحقیق گسترده ای در مقالات منتشره بعمل آمد و معلوم شد این تحقیق بوسیل? محققین تراز اول خارجی نیز انجام گرفته است وآنها نیز به همان نتایج ما رسیده اند. ما سعی کردیم وجود اختلاف را توجیه کنیم و این توجیه ما را به این نتیجه رسانید که در اینجا توزیع آماری فرمی – دیراک قابل استفاده نیست و مناسبترین مدل برای مورد فوق الذکرمدل tuck است. همچنین ما دریافتیم که داپ کردن inp با zn به میزانی بیش از رقم ناخالصی در cm3 منجر به نوعی از اشباع می شود به نحوی که نابرابری کمیتهای فوق شروع می گردد.