طراحی بهینه لایه های ضد بازتاب برای سلول های خورشیدی

پایان نامه
چکیده

در این پایان نامه روش نظری برای مدل سازی بازتاب از سطح سلول خورشیدی با در نظر گرفتن بازتاب از صفحه پشتی ارائه گردیده است. سپس صحت مدل ارائه شده توسط داده های آزمایشگاهی بدست آمده از چندین مقاله ارزیابی گشته است؛ مقایسه نشان می دهد که نه تنها همگرایی خوبی با داده های آزمایشگاهی دارد، بلکه نسبت به مدل های ارائه شده قبلی نیز از دقت بالایی برخوردار است. همچنین از آنجایی که فوتون های پر انرژی جذب شده درلایه های ضدبازتاب، در تولید جریان شرکت نمی کنند، از این رو پیشنهاد گردیده است این قسمت از فوتون های جذب شده نیز به همراه فوتون های بازتابی که با swr مشخص می گردد، در محاسبه کل تلفات منظور گردد. به هم این منظور پیشنهاد گردیده-است از معیار دقیق تری بنام بازتاب و جذب وزنه دار شده خورشیدی(swra) جهت ارزیابی کارایی لایه-های ضد بازتاب استفاده گردد. سپس با استفاده از معیار پیشنهادی لایه های ضدبازتاب برای سلول های خورشیدی نوع si و cdte طراحی گشته و نتایج شبیه سازی نشان می دهد نه تنها بهبود قابل ملاحظه ای در راندمان برخی از انواع سلول های خورشیدی ایجاد می شود، بلکه از طرفی هزینه ساخت و زمان تولید را نیز کاهش می دهد

۱۵ صفحه ی اول

برای دانلود 15 صفحه اول باید عضویت طلایی داشته باشید

اگر عضو سایت هستید لطفا وارد حساب کاربری خود شوید

منابع مشابه

طراحی بهینه سلول های خورشیدی بسیار جدار نازک برای کاربردهای نانو در محدوده طول موج مریی

سلول­های خورشیدی جدارنازک کادمیوم تلوراید/کادمیوم سولفید به واسطه داشتن راندمان عملکرد بالا، بالاضریب صدور بالا، شکاف باند نزدیک به مقدار بهینه برای تبدیل انرژی خورشیدی و هزینه تولید پایین به عنوان یکی از مستعدترین گزینه­ها در صنعت سلول­های فتوولتائیک خورشیدی مطرح می­باشند. عملکرد سلول­های خورشیدی جدار نازک کارآمد نیازمند طراحی پارامترهای بهینه هر لایه از سلول خورشیدی می­باشد. با توجه به آنکه ض...

متن کامل

طراحی و بهینه سازی سلول خورشیدی پروسکایت با بکارگیری دو لایه ی انتقال دهنده ی الکترون

در این پژوهش عملکرد سلول خورشیدی پروسکایت با بکارگیری دو لایه‌ی انتقال دهنده الکترون نظیر: SnO2 و ZnO. مورد شبیه سازی و مقایسه قرار گرفته است. بدین منظور از نرم افزار شبیه‌سازی AMPS-1D که دارای قابلیت تعیین مشخصه جریان-ولتاژ ، بازده کوانتمی و تعیین ضخامت لایه‌ها است استفاده شد. تاثیر ضخامت لایه‌ی جاذب پروسکایت، لایه های انتقال دهنده‌ی الکترون، غلظت ناخالصی لایه‌های انتقال دهنده‌ی الکترون و دما ...

متن کامل

طراحی سلول های خورشیدی نانوپلاسمونیکی براساس برانگیختگی مدهای اپتیکی درون سلول

به منظور افزایش بهره سلول های خورشیدی لایه نازک، روش هایی برای طراحی مناسب نانوساختارهای پلاسمونیکی و دی الکتریک در سلول پیشنهاد و بررسی می کنیم که امکان برانگیختگی تعداد قابل توجهی از مدهای مختلف اپتیکی و در نتیجه افزایش احتمال جذب فوتون توسط سلول را فراهم می کنند. با بهره گیری از تکنیک محاسباتی تفاضل متناهی در حوزه زمان (FDTD)، برهمکنش نور با ساختارهای پیشنهادی را مدلسازی و چگونگی تنظیم مدهای...

متن کامل

مشخصه یابی اتصال Ni/Cu براساس شیوه لایه نشانی الکتروشیمیایی نیکل برای سلول های خورشیدی مولتی کریستال سیلیکونی

در این مقاله، ساختار Ni/Cu به عنوان اتصال اهمی بر روی زیرلایه مولتی کریستال سیلیکون به روش الکتروشیمیایی (آبکاری الکتریکی) لایه �نشانی و مقاومت الکتریکی آن بهینه شده است. به منظور ایجاد ساختار مورد نظر، نیکل به دو روش آبکاری غیرالکتریکی و الکتریکی بر روی زیرلایه�های n+-Si� لایه نشانی شده و پس از گرمادهی (جهت بهبود خواص کریستالی)، لایه�ای از مس به روش آبکاری الکتریکی به منظور کاهش مقاومت سطحی و ...

متن کامل

بررسی منابع انرژی تجدیدپذیر و نقش سلول های خورشیدی

بشر از دیرباز با بکارگیری انرژی های فراوان و در دسترس طبیعت، در پی گشودن دریچهای تازه به روی خویش بود تا از این رهگذار، بتواند افزون بر آسانتر کردن کارها، فعالیتهای خود را با کمترین هزینه و بالاترین سرعت به انجام رساند و گامی برای آسایش بیشتر بردارد. با توجه به کاهش منابع انرژی تجدیدناپذیر مانند سوختهای فسیلی، بحران انرژی یکی از مسائل مهم در دنیای امروز می باشد. همچنین استفاده از این منابع، آلو...

متن کامل

طراحی و شبیه‌سازی سلول خورشیدی سه‌پیوندی بر مبنای چاه کوانتومی

In this paper, the purpose is to improve the efficiency of triple-junction solar cell by introducing quantum well into GaAs junction. Firstly, InGaP/GaAs/InGaAs triple-junctions solar cell has been simulated. Then, a multiple stepped quantum wells (MSQWs), in which InGaAs well is sandwiched by InGaAsP as stepped layer, and the barrier is GaAs, has been introduced into intrinsic region of single...

متن کامل

منابع من

با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید

ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده

{@ msg_add @}


نوع سند: پایان نامه

وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه فردوسی مشهد - دانشکده مهندسی

میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com

copyright © 2015-2023