بررسی رفتار لایه سدی فوق نازک آلومینای آندی در الکترونهشت پالس مستقیم نانوسیمهای مغناطیسی کبالت

در این تحقیق برای اولین بار نانوسیم های کبالت به روش الکترونهشت پالسی مستقیم در داخل نانو حفره های آلومینای حفره دار که به روش آندایز دو مرحله ای ساخته شده بود رشد داده شد. برای فراهم آمدن شرایط نهشت به روش مستقیم، لایه سدی آلومینای حفره دار در یک آندایز غیر تعادلی بر اساس یک تابع نمایی تا 2 ولت نازک گردید و سپس الکترونهشت پالسی مستقیم در اسیدیته های مختلف 4، 5/4، 75/4، 5، 25/5، 5/5 و 6 و در زمان های خاموشی 0، 10، 20، 50 و 100 میلی ثانیه به انجام رسید. بررسی تحلیلی نتایج اندازه گیری -های مغناطیسی توسط مغناطومتر نیروی گرادیان متناوب (agfm) انجام شد و بیشینه و کمینه وادارندگی های بدست آمده به ترتیب 3320 و 675 اورستد در اسیدیته های 25/5 و 6 حاصل شد. بررسی های میکروساختاری توسط تداخل سنجی اشعه ایکس (xrd) نشان داد که بهینه شدن خواص مغناطیسی نانوسیم های کبالت به طور عمده به دو پارامتر درجه تبلور و ناهمسانگردی بلوری وابسته است و همبستگی این دو پارامتر می تواند به بیشینه شدن وادارندگی و نسبت مربعی حلقه پسماند منجر شود. افزایش اسیدیته از 4 تا 25/5 باعث می شود که درجه تبلور نانوسیم ها به صورت قابل ملاحظه ای افزایش یابد و تنظیم زمان خاموشی باعث می شود که اثر ناهمسانگردی بلوری با قرار گرفتن امتداد c شبکه شش گوشی تنگ پکیده کبالت در امتداد محور نانوسیم ها به حداکثر برسد و بر هم نهی دو پدیده افزایش تبلور و ناهمسانگردی بلوری به بهینه شدن خواص مغناطیسی منجر شود. همچنین اثر تابکاری بر روی نمونه های با اسیدیته 4 و 25/5 مورد مطالعه قرار گرفت و مشاهده شد که با افزایش زمان خاموشی ساختار بلوری و خواص مغناطیسی نانوسیم ها بهبود یافته است.