بررسی پوشش های مرکب نانو ساختار سه تایی ti/tio2+ruo2+ceo2 به روش رسوب الکتریکی

هدف از انجام پژوهش حاضر بررسی امکان ایجاد پوشش های سه تایی از اکسید های تیتانیوم، روتونیوم و سریم به روش رسوب دهی الکتریکی بر روی زیر لایه تیتانیومی است. با توجه به تغییر در میزان اکسید های استفاده شده در الکترولیت، سعی در بدست آوردن بهینه ترین مورفولوژی پوشش و رسیدن به ترکیب شیمایی مناسب بوده است. برای این منظور در این پژوهش از نمک های ticl4/rucl3.xh2o/ce(no3)3.6h2o با درصد های متفاوت، به همراه پر اکسید هیدروژن، الکل متانول و آب مقطر، به عنوان مواد تشکیل دهنده الکترولیت در سل الکتروشیمیایی رسوب دهی برای یک، دو، چهار و شش مرحله عملیات رسوب الکتریکی استفاده شده است. برای بررسی بهینه ترین نشست و چسبندگی، از عملیات حرارتی در دما های ?c300، ?c450، ?c650 و ?c850 استفاده شده است؛ هم چنین از آند نقره برای برقراری مدار الکتریکی در سل الکترو شیمیایی استفاده گردیده است، که این آند جریان ma20، که به صورت ثابت و مستقیم توسط یک سو کننده جریان تولید می شود را از خود عبور می دهد. برای بررسی سطح پوشش داده شده، آنالیزهای میکروسکوپ الکترونی روبشی(sem)، توزیع انرژی پرتو ایکس(edx)، پراش پرتو ایکس(xrd) به عمل آمد است. هم چنین رفتار پلاریزاسیون آندی نیز مورد بررسی قرار گرفته است. با توجه به نتایج حاصله می توان گفت که با افزایش تعداد مراحل پوشش دهی مورفولوژی بدست آمده بسیار بهبود پیدا کرده و بهینه ترین حالت در پوشش شش مرحله ای با الکترولیت 25/5/70tio2/ruo2/ceo2= که در ?c450 مورد عملیات حرارتی قرار گرفته، حاصل شده است. این پوشش بالاترین کیفیت سطحی، حداقل ولتاژ اضافی آزاد سازی گاز کلر، حداکثر پایداری و چسبندگی را در بین تمامی نمونه های پوشش داده شده، را دارا می باشد. هم چنین باید عنوان کرد که با افزایش درصد اکسید سریم به همراه افزایش مراحل پوشش دهی، بیشترین ضخامت و وزن رسوب دهی را در بین نمونه های پوشش داده شده شاهد بودیم. کلمات کلیدی: تیتانیوم، اکسید تیتانیوم/اکسید روتونیوم/اکسید سریم، رسوب دهی الکتریکی، پلاریزاسیون آندی، مورفولوژی پوشش.