بررسی و مقایسه روش های مختلف مدلسازی بخش ac از دیدگاه بار dc در سیستم های مبتنی بر یکسوکننده ها

در این پایان نامه روش های تحلیل و مدلسازی یکسوکننده ارائه شده است. روش های مدلسازی یکسوکننده شامل روش های حوزه زمان و حوزه فرکانس است. روش های حوزه زمان از روش های خطی سازی و متوسط گیری استفاده می کنند. روش های حوزه فرکانس شامل روش نگاشت امپدانس و ماتریس توابع کلیدزنی است. روش ماتریس توابع کلیدزنی بر اساس بدست آوردن توابع کلیدزنی مناسب با استفاده از مدار ماتریس کلیدزنی کلی عمل می کند. با بدست آوردن توابع کلیدزنی، جریان ورودی، ولتاژ و جریان خروجی همگی به آسانی با استفاده از این روش بدست می آیند. اثر هم پوشانی به دقت مدلسازی شده است و مولفه های فرکانسی اغتشاش ولتاژ و جریان ورودی و ولتاژ خروجی بدست آورده شده اند. این روش همچنین می تواند برای انواع دیگر مبدل ها به ویژه مبدل های از نوع ولتاژ به کار برده شود. روش نگاشت امپدانس از روش های سری فوریه و خطی سازی هارمونیکی برای نگاشت ولتاژ و جریان توسط مدار کلیدزنی مبدل استفاده می کند. روابط نگاشت جریان و ولتاژ با یکدیگر ترکیب می شوند تا مدل نگاشت امپدانسی که امپدانس تحت سیستم dc را به سمت ac منتقل می کند، بدست آید. مدل های امپدانس ورودی برای یکسوکننده چند پالس، تعمیم یافته روش نگاشت امپدانسی است که برای یکسوکننده 6 پالس سه فاز به کار برده شده است. توابع نگاشت امپدانس در ابتدا برای یکسوکننده n فاز در حالت کلی تعریف شده اند و برای محاسبه امپدانس ورودی آن ها با فرض هر دو حالت ولتاژ ورودی متقارن و نامتقارن و عملکرد ایده آل استفاده شده اند. مدل های امپدانس بدست آمده سپس به سمت اولیه ترانسفورماتور شیفت فاز منتقل شده اند. اندوکتانس مغناطیسی و کموتاسیون فازی که به علت اندوکتانس نشتی وجود دارد، بررسی شده اند. اعتبار روش های مدلسازی با مقایسه با شبیه سازی مداری ثابت شده اند.