نقایص ساختاری نانولایههای اکسید روی رشد داده شده به روش تبخیر حرارتی شیمیایی (cvd)
پایان نامه
- دانشگاه بین المللی امام خمینی (ره) - قزوین - دانشکده علوم پایه
- نویسنده وحید واحدی
- استاد راهنما علی ریحانی
- تعداد صفحات: ۱۵ صفحه ی اول
- سال انتشار 1390
چکیده
در این پژوهش لایههای نازک و نانوساختارهای اکسید روی از طریق دو روش اکسیداسیون حرارتی لایههای نازک zn و تبخیر حرارتی شیمیایی به طور موفقیت آمیزی رشد داده شدند. در روش اول، ابتدا با استفاده از تکنیک تبخیر در خلاء، لایههای نازک zn با ضخامتهای مختلف (nm80 تا 1 میکرومتر) بر روی زیر لایه شیشه لایه نشانی گردیدند. جهت رشد لایههای نازک و نانوسیمهای اکسید روی، فیلمهای zn لایه نشانی شده در بازه دمایی c?450 تا c?650 در مدت زمانهای متفاوت در محیط هوا توسط یک کوره الکتریکی افقی اکسید شدند. مورفولوژی سطح نمونهها با استفاده از تصاویر میکروسکوپ الکترونی روبشی مشخص گردید و نتایج نشان داد که با افزایش دمای اکسیداسیون، ابعاد نانوسیمهای اکسید روی افزایش مییابد و لایه نازک zn اکسید شده در دمای c?600، دارای بیشترین میزان شکلگیری نانوسیمهای اکسید روی میباشد. بررسی اثر ضخامت اولیه فیلم نازک zn بر روی رشد نانوسیمها نشان داد که با افزایش ضخامت، طول و قطر نانوسیمها افزایش مییابد و ضخامت nm500 دارای بیشترین تراکم نانوسیمهای اکسید روی است. همچنین با افزایش مدت زمان فرآیند اکسیداسیون، طول نانوسیمها به طرز چشمگیری افزایش یافت. نتایج حاصل از آنالیز xrd مشخص کرد که نانوساختارهای اکسید روی دارای ساختار ورتزایت با پیک ترجیحی قوی (002) میباشند. طیف فتولومینسانس نانوساختارها به منظور بررسی خواص اپتیکی نمونهها اندازه گیری شد و نتایج نشان داد که یک پیک قوی در nm377 متناظر با نشر فرابنفش و یک پیک پهن در nm522 متناظر با نشر سبز وجود دارد که نشان دهنده کیفیت کریستالی خوب و نقایص ساختاری کم نمونهها میباشد. بررسی خواص اپتیکی با استفاده از طیف عبور همچنین نشان داد که گاف انرژی نانوساختارهای اکسید روی با افزایش ضخامت اولیه، کاهش مییابد. در روش دوم، نانوساختارهای اکسید روی از طریق تکنیک تبخیر حرارتی شیمیایی (tcvd) با استفاده از پودر zn به عنوان ماده چشمه بر روی زیرلایه کوارتز در دمای c?950 رشد داده شدند. نتایج نشان داد که ساختارهای تشکیل شده در محیط هوا به صورت ذرات و در محیط اکسیژن به صورت نانومیلههای هرمی هگزاگونال میباشند. طیف پراش اشعه ایکس نشان داد که هر دو نمونه دارای ساختار کریستالی هگزاگونال ورتزایت میباشند. در طیف فتولومینسانس نانومیلههای هرمی یک پیک قوی مربوط به نشر فرابنفش مشاهده شد که نشان میدهد نانوساختارها دارای کیفیت کریستالی خوب و میزان نقایص ساختاری ناچیز میباشند. کیفیت و عناصر تشکیل دهنده نانومیلهها هرمی با استفاده از طیف ftir تعیین گردید. پیک جذبی در اطراف 1-cm 510 مربوط به باند جذبی zn-o میباشد و مشخصه فاز هگزاگونال ورتزایت اکسید روی خالص است.
منابع مشابه
منابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده{@ msg_add @}
نوع سند: پایان نامه
دانشگاه بین المللی امام خمینی (ره) - قزوین - دانشکده علوم پایه
میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com
copyright © 2015-2023