مدل سازی نظری و بهینه سازی عوامل موثر در رشد نانولوله های کربنی به روش رسوب بخار شیمیایی

در این رساله، یک نظریه جدید برای توصیف مکانیسم رشد و معلوم کردن نحوه تاثیر متغیرهای پارامتری مانند دما و کاتالیست و همچنین عوامل خارجی مانند میدانهای الکتریکی و مغناطیسی، روی رشد نانولوله های کربنی به روش رسوب بخار شیمیایی ارائه می شود. اساس نظریه ارائه شده بر پایه نوسانات طولی فونونی نانولوله کربنی روی کاتالیست در مدل رشد از پایه و نوسانات طولی فونونی خوشه های کاتالیست فلزی روی نانولوله کربنی در مدل رشد از سر می باشد. بر پایه نظریه ارائه شده، تاثیر میدانهای الکتریکی و مغناطیسی در رشد نانولوله های کربنی جهت بهینه سازی رشد، مورد بررسی قرار می گیرد و نشان داده می شود که با اعمال میدان الکتریکی dc در رشد از پایه و میدان مغناطیسی ac در رشد از سر، طول نانولوله کربنی هنگام رشد افزایش می یابد. در انتها، با استفاده از تئوری ارائه شده و با در نظر گرفتن اندرکنش دیواره ها، مدلی نظری برای توصیف مکانیسم رشد نانولوله های کربنی دو دیواره به روش رسوب بخار شیمیایی ارائه می شود. نتایج بدست آمده از این نظریه، توسط نتایج تجربی و شبیه سازی های محققان دیگر مورد تایید می باشد.