تحلیل و شبیه سازی عددی اثر کرنش در ترانزیستورهای نانوسیم اثرمیدانی

در این تحقیق، هدف، شبیه سازی ترانزیستورهای اثرمیدانی نانوسیم سیلیکونی با گیت فراگیر و بررسی اثر کرنش روی پارامترهای این افزاره و مشخص? جریان- ولتاژ آن است. ابتدا به بررسی وابستگی ساختار نوار انرژی آن و درنتیجه جرم موثر الکترون و شکاف انرژی به پارامترهای مختلف افزاره مانند انداز? نانوسیم (برای شعاع های سیم 1.5 تا 4 نانومتر) و جهت کریستالی ([100], [110], [111]) می پردازیم و سپس جرم موثر و شکاف انرژی بدست آمده را در شبیه سازی ترانزیستور مورد استفاده در این تحقیق -ترانزیستور اثرمیدانی نانوسیم سیلیکونی دایروی با گیت فراگیر– لحاظ می کنیم. در این شبیه سازی اثر اندازه قطر نانوسیم و جهت کریستالی آن روی مشخصه جریان- ولتاژ بررسی می شود. گام دوم بررسی اثر کرنش تک محوری کششی و فشاری روی ساختار نوار انرژی و درنتیجه جرم موثر الکترون و شکاف انرژی است. وابستگی به قطرِ اثر کرنش روی ساختار نوار انرژی نانوسیم نیز بررسی می شود و با توجه به تحلیل ساختارهای فوق یک ساختار بهینه انتخاب و شبیه سازی مشخصه ها. ترانزیستور اثر میدانی نانوسیم سیلیکونی دایروی با گیت فراگیر تحت بررسی را با روش تابع گرین غیرتعادلی شبیه سازی نموده و مشخصه های رفتاری آن را از جمله جریان روشن به خاموش تحلیل خواهیم کرد.