مطالعه عددی لایه نشانی بخار شیمیایی کربید سیلیسیوم به کمک pecvd

در این شبیه سازی، محیط گازی را محیطی پیوسته و جریان گاز را جریانی آرام فرض کرده ایم. همچنین از اثرات تابش صرف نظر نموده و گازها را در محیط پلاسما ایده آل در نظر می گیریم. در نتیجه این شبیه سازی که با استفاده از نرم افزارفلوئنت انجام شده است، نرخ لایه نشانی کربید سیلیسیوم و همچنین پروفیل لایه نشانی محاسبه شده آن و نیز اثر پارامتر های مختلف موثر بر لایه نشانی شامل: نرخ ورودی گاز، دمای سطح زیر لایه، فشار رآکتور، نسبت های مختلف سیلان به پروپان بر روی زیر لایه، تاثیر فاصله الکترودها، تاثیر ورود متان نسبت به پروپان وجایگزینی هلیوم به جای هیدروژن بر لایه نشانی و نهایتاً تاثیر دو پارامتر نرخ ورود و دمای سطح زیر لایه بر لایه نشانی سیلیسیوم همراه کربید سیلیسیم مورد بحث و بررسی قرار گرفته است.