مطالعه ساختار و اندازه گیری پارامترهای الکتریکی لایه های نازک نانوساختار سلنیدقلع (snse) تهیه شده به روش حمام شیمیایی در دمای اتاق

از بین روشهای مختلف تهیه لایه های نازک سلنیدقلع، ساد ترین و ارزانترین روش، همان روش حمام شیمیایی است که قادر است در دمای اتاق فیلمهای با کیفیت خوب را برای کاربرد در قطعات الکترونیکی تولید نماید. در این کار تجربی ضریب ثابت هال ،مقاومت ویژه،رسانندگی الکتریکی، تحرک پذیری و چگالی حاملهای بارو خواص ساختاری لایه های نازک سلنیدقلع که با روش نهشت حمام شیمیایی(cbd) با 2/0± 12=ph در دمای اتاق روی زیرلایه های شیشه ای نهشته شده اند، بررسی شدند. مکانیسم لایه نشانی به صورت کلاستر به کلاستر بوده و این لایه ها دارای ساختار ارتورومبیک با جهت ترجیحی صفحه (400) بودند همچنین با بررسی ساختار لایه های نازک سلنیدقلع با طیف اشعه x مشخص شد که ساختار لایه ها به شدت به مدت زمان لایه نشانی و ph محلول وابسته بوده و در بهترین شرایط لایه ها ضخامتی nm 400 داشتند. همچنین با شرایط بهینه برای لایه های تهیه شده در دمای اتاق مقاومت ویژه ی cm? 216.63 رسانندگی cm?/ 3- 10× 4.616 و ضریب هالcm3 /c 0.2826 و تحرک پذیری و چگالی حاملهای بار به ترتیب cm3/ 19 10× 2/2 و cm2 /v.s 3- 10 × 1.303 بدست آمد.