تهیه قطعات الکترونیکی ساخته شده به روش جوهر افشانی حاوی نانوذرات نقره و مس بر زیرلایه های انعطاف پذیر

در تحقیق حاضر ابتدا سعی شده تا با آزمایشات گوناگونان، ترکیبی پایدار جهت سنتز نانو درات مس تهیه گردد. با توجه به نتایج جدول 2- 6 استفاده همزمان از آسکوربیک اسید و سدیم بروهیدرید منجر به استحصال ذرات رسانای مس میگردد. همچنین از جداول 2-20 تا 2-25 بهترین حالات قطره نشانی و کشیدن قطره ( که (a+n)c و c-(a+n) ) روی کاغذ بدست آمد. در ادامه مشخص گردید که دمای 70 درجه سانتی گراد آون برای خشک کردن نمونه ها نتیجه بهتری در رسانای مس استحصال شده دارد .در مرحله بعد روش های مختلفی را برای نشاندن مس رسانا روی زیرلایه آزمایش گردید که تنها در روش های الکترولس (بخش2-2-3-4) و pen_written به همراه غوطه وری، طرح های رسانای مسی ایجاد گردید. در روش pen-written و غوطه وری 4 حالت خطوط مسی که دارای رسانایی پیوسته بدست آمد همچنین برای آن دسته از خطوط مس تولیدی به این روش که کمترین میزان مقاومت الکتریکی را دارا بودند، میزان رسانایی الکتریکی محاسبه شد که بهترین رسانایی بدست آمده 38 بار رسانش کمتری نسبت مس در حالت بالک دارد.در آزمایش دیگری تأثیر حرارت و شستشو روی خطوط مس ایجاد شده به روشpen-written و غوطه وری در احیاءکننده بررسی گردید .میتوان نتیجه گرفت که پرس حرارتی باعث کاهش مقاومت الکتریکی و شستشو باعث افزایش مقاومت الکتریکی خطوط مسی میگردد و یا حداقل بی تأثیر است. با توجه مشاهدات sem از این خطوط مسی میتوان پی برد که شستشو باعث تخریب ساختار نانو ذرات مس و ایجاد خلل و فرج بیشتر در سطح بستر شده و به نظر میرسد که چسبندگی ضعیف طرح مسی بر زیر لایه، که میتواند ناشی از کشیده شدن یکبار سولفات مس روی کاغذ و نفوذ کم آن باشد، عاملی برای کنده شدن قسمت هایی از طرح در حین شستشو و نهایتاٌ کاهش هدایت الکتریکی طرح بوده است.در آزمایش بعدی سولفات مس چاپ جوهر افشانی شده و درون مخلوط آسکوربیک اسید و سدیم برو هیدرید، با غلظت های متفاوت، غوطه ور شد و مشخص گردید که غلظت 2 مولار برای آسکوربیک اسید و 1 مولار برای سدیم بروهیدرید روی خطوط 10 بار چاپی سولفات مس نتیجه بهتری داردمقاومت خطوط مسی بعد از پرس حرارتی و شستشو کاهش می یابد. با توجه به تصاویر sem این خطوط مسی قبل و بعد از شستشو (شکل 2-62 و 2-63) ، به نظر میرسد که با 10 سیکل چاپ سولفات مس، خطوط مسی تولیدی از چسبندگی خوبی روی زیر لایه برخوردار شده اند و شستشو برعکس روش pen-written باعث کنده شدن ذرات نشده و تنها ناخالصی های روی سطح را از بین برده و با پرس حرارتی نانو ذرات مس ذرات بهم نزدیکتر شده و روی سطح کاغذ آرایش یافته تر شده و سطح وسیعی از زیر لایه را پوشش داده اند و در نهایت منجر به کاهش مقاومت الکتریکی شده اند.میزان رسانایی الکتریکی برای آن دسته از خطوط مس تولیدی با این روش که کمترین میزان مقاومت الکتریکی را داشتند محاسبه شده است و بهترین رسانایی که بدست آمد حدود 51 برابر کمتر از رسانایی مس در حالت بالک است.