بررسی ساختار نواری فونونی و خواص ترموالکتریکی ترکیبات (r=gd, tb, dy)rmno3

در این پایان نامه خواص الکترونیکی، فونونی و ترموالکتریکی ترکیبات (r=gd, tb, dy)rmno3 با استفاده از محاسبات اصول اولیه مطالعه شده است. خواص الکترونیکی شامل: ساختار نواری، گاف انرژی و چگالی حالت ها با تقریب های gga،lda+u و gga+uدر چهارچوب نظریه تابعی چگالی (dft) انجام شده است. با مقایسه مقادیر گاف نواری اسپین بالا و پایین به این نتیجه می-رسیم که این ترکیبات در حالت اسپین بالا با داشتن گاف نواری کوچک، رفتار فلزی و در حالت اسپین پایین رفتار عایق گونه از خود نشان می دهند. نتایج بدست آمده نشان می دهد که این ترکیبات کاندیداهای خوبی در زمینه اسپینترونیک می باشند. همچنین خواص فونونی از جمله بسامدهای فونونی و بار موثر بورن با تقریب lda و با استفاده از روش های شبه پتانسیل بررسی شدند که بسامدهای فونونی محاسبه شده در توافق نسبتا خوبی با مقادیر تجربی و محاسبات دیگران است. نتایج ترموالکتریکی نیز نشان می دهد که این ترکیبات ضرایب سیبک بالایی دارند و فاکتور توان بدست آمده برای dymno3 در پتانسیل های مثبت بزرگتر از دیگر ترکیبات است