بررسی ناپایداری نانو کلیدهای الکترواستاتیک در حضور دی الکتریک

پایان نامه
چکیده

در مقیاس نانو شرط پیوستگی محیط ماده نقض شده و مواد به صورت ساختار اتمی کاملاً گسسته وجود دارند، تئوری مکانیک محیط پیوسته توانایی توضیح بسیاری از پدیده ها را ندارد. به همین دلیل محققان در طول دهه های گذشته به دنبال روش هایی بودند که بتوانند رفتار ماده را در مقیاس اتم مدل سازی کنند. در این رساله سعی بر آن است که با استفاده از تئوری تنش مزدوج اصلاح شده و حل تحلیلی ادومین رفتار نانو کلید های الکترواستاتیکی یک سر گیردار و دو سر گیردار غوطه ور در سیال الکترولیت به طور دقیق و قابل اطمینان مورد مطالعه قرار گیرد. همچنین تأثیر تنش پسماند که به دلیل روش های مختلف ساخت و تولید از قبیل میکرو ماشین کاری سطح در جسم باقی می ماند نیز بررسی می شود. در نهایت میزان تأثیر پارامترهای اندازه طول ماده، غلظت یونی و تنش بر پایداری نانو کلید تحلیل شده است. مقایسه نتایج حاصل از روش حل تحلیلی ادومین با روش عددی و مراجع نشان می دهد که این روش از دقت بسیار بالایی برخوردار است و می تواند به عنوان روشی موثر و کارآمد برای تحلیل پایداری نانو کلیدها مورد استفاده قرار گیرد. نتایج به دست آمده نشان می دهند که نانو کلید های مدل شده توسط تئوری تنش مزدوج در مقایسه با تئوری کلاسیک رفتار سخت تری از خود نشان می دهند و با کاهش ضخامت کلید سختی آن ها بیشتر می شود. با افزایش غلظت یونی و ضخامت کلید، اختلاف بین دو تئوری کلاسیک و تنش مزدوج اصلاح شده، به ترتیب افزایش و کاهش می یابد.

منابع مشابه

بررسی ساختاری و ریزساختاری نانو ذرات دی الکتریک تیتانات کلسیم – مس تولید شده به روش مکانوشیمیایی

در این پژوهش، نانوذرات دی الکتریک تیتانات کلسیم- مس (CCTO) به روش مکانو شیمیایی تولید شده است. ترکیب شیمیایی پودر آسیا شده با استفاده از تجزیه‌ی فلورسانس اشعه‌ی X (XRF) و تجزیه‌ی ساختاری کمی وکیفی فازها با پراش اشعه‌ی X (XRD) و با کاربرد روش رتویلد صورت گرفت. افزون بر این، بررسی اندازه‌ی ذرات با استفاده از میکروسکوپ الکترونی عبوری (TEM) انجام گرفت. نتایج تجزیه‌ی XRF نشان داد که میزان آلودگی وار...

متن کامل

مطالعه خواص نوری یک نانو ذره پلاسمونیک روی یک لایه دی الکتریک

با مطالعه قطبش پذیری یک نانو ذره ی فلزی کروی برروی یک لایه ی دی الکتریک، خواص نوری سیستم بررسی می شود. از آنجا که اندازه نانوذره خیلی کوچکتر از طول موج نور فرودی است، با حل معادله لاپلاس، پتانسیل الکتریکی در نواحی مختلف برحسب چندقطبیها بسط داده می شود. با استفاده از تانسور قطبش پذیری، عباراتی برای قطبش‌پذیری ‌های موازی و عمود بدست آمده و سپس نتایج عددی مورد بحث قرار می گیرند. علاوه بر اثر انداز...

متن کامل

بررسی و محاسبۀ نیروی کازیمیر بین سطوحِ زبرِ دی الکتریک

هدف ما در این پژوهش، بررسی نیروی کازیمیر بر روی سطوحِ دی الکتریکِ زبر است. در این بررسی، پس از شبیه سازی سطحِ یک دی الکتریک با مدلِ رشد MBE و مدلِ گسستۀ داس- سارما در فضای دو بعدی، مشخّصاتِ سطح را به دست آورده با استفاده از آن نیروی کازیمیر بین یک سطحِ زبر و یک سطحِ صاف را از رابطۀ لیفشیتز- با تقریب برای فواصل کم- به دست آوردیم. در آخر برای یک حالتِ خاص، نیروی کازیمیرِ دافعه را برای دو سطح بر حسبِ فاصله مح...

متن کامل

تحلیل و شبیه سازی لنز چندلایه ی عرضی دی الکتریک

روش¬های متعددی برای افزایش بهره¬ی آنتن وجود دارد. این روش ها با استفاده از، آرایه¬ای کردن آنتن و یا با تغییر در ابعاد آنتن صورت گرفته است. استفاده از لنز، روشی دیگر جهت افزایش بهره¬ی آنتن می باشد. لنز ها دارای انواع بسیار متنوعی می باشند. لنزی که در این مقاله مورد بررسی و طراحی قرار می گیرد، از نوع لنزهای مسطح است که ضریب دی الکتریک آن در راستای عرضی به صورت چند لایه¬ای می باشد. شبیه سازی این س...

متن کامل

بررسی ساختاری و ریزساختاری نانو ذرات دی الکتریک تیتانات کلسیم – مس تولید شده به روش مکانوشیمیایی

در این پژوهش، نانوذرات دی الکتریک تیتانات کلسیم- مس (ccto) به روش مکانو شیمیایی تولید شده است. ترکیب شیمیایی پودر آسیا شده با استفاده از تجزیه ی فلورسانس اشعه ی x (xrf) و تجزیه ی ساختاری کمی وکیفی فازها با پراش اشعه ی x (xrd) و با کاربرد روش رتویلد صورت گرفت. افزون بر این، بررسی اندازه ی ذرات با استفاده از میکروسکوپ الکترونی عبوری (tem) انجام گرفت. نتایج تجزیه ی xrf نشان داد که میزان آلودگی وار...

متن کامل

خواص اپتیکی کریستال فوتونیکی دی الکتریک تک بعدی شبه فلز ـ دی الکتریک (سمیه داودی1، مریم قشلاقی)

در این مقاله به بررسی رفتار کریستال فوتونیکی تک بعدی شبه فلز ـ دی الکتریک با ساختار اپتیکی با ترتیب لایه ها به صورت Glass/(MgF2-Ge)N/Air پرداخته شده است. شبیه سازی این کریستال انجام شد و طیف عبوری آن رسم گردید. طبق محاسبات شبیه سازی شده و رسم نمودار طیف عبوری، این ساختار دارای شکاف باند فوتونیکی پهن بوده است و همچنین طول موج مرکزی آن با اولین توقف باند آن با شرط براگ تطابق خوبی دارد. با افزایش ...

متن کامل

منابع من

با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید

ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده

{@ msg_add @}


نوع سند: پایان نامه

وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شهید چمران اهواز - دانشکده مهندسی مکانیک

میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com

copyright © 2015-2023