طراحی، شبیه سازی و بهبود زمان قفل شدن در مدار dll

پایان نامه
چکیده

در این پایان نامه یک مدار حلقه قفل تاخیر با دو لبه سنکرون شونده با سرعت قفل بالا، محدوده فرکانسی وسیع و ولتاژ تغذیه پایین شرح داده شده است که اغلب در پروسه های هم تراز کننده ساعت مورد استفاده قرار می گیرد. در این پروژه، دو معماری تقریبا مشابه پیشنهاد شده است. نتایج شبیه سازی با برنامه hspice بر پایه تکنولوژی های cmos ?m18/0 و ?m13/0 می باشد. معماری پیشنهادی اولیه، حلقه قفل تاخیر با دو لبه سنکرون شونده را بر پایه تکنولوژی ?m18/0 با ولتاژ تغذیهv 8/1 می باشد. بازه فرکانسی این مدار بین mhz750 الی ghz1 است. مدار قفل سریع حلقه قفل تاخیر (ماکزیممns 20) همراه با دو لبه سنکرون شونده با به کارگیری آشکارسازهای فاز-فرکانس با سرعت بالا به دست آمده است. آشکارسازهای فاز-فرکانس پیشنهادی دارای ناحیه مرده کوچکی هستند. همچنین دو پمپ بار تفاضلی به کار گرفته شده اند، زیرا در این مدار انتخاب های مناسب تری می باشند و از مزایای مهم این دو پمپ بار، ارتقاء زمان سوئیچ آن ها توسط سوئیچ های هدایت کننده جریان را می-توان نام برد. مشخصه دیگر این ساختار قابلیت اصلاح مناسب چرخه کار است (9/0%±50). از طرف دیگر، همان طور که می دانیم استفاده از روش دو لبه سنکرون شونده ما را به سوی مصرف بیشتر توان سوق می دهد و متعاقبا باعث افزایش جیتر rms و peak-to-peak را افزایش می دهد که علت این امر استفاده از دو مدار آشکارساز فاز-فرکانس ، دو مدار پمپ بار و دو فیلتر حلقه به جای استفاده از یکی از این هر کدام از این مدار ها است. بنابراین در این پروژه جیتر rms، جیتر peak-to-peak و مصرف توان نیز مورد بررسی قرار گرفت. حداکثر توان مصرفی مدار حلقه قفل تاخیر،mw 4/3 در فرکانسghz 1 است.حداکثر و حداقل جیتر rms به ترتیب ps98/5 وps771/0 و حداکثر و حداقل جیتر peak-to-peak به ترتیب ps08/102 و ps13/18 می باشد. از طرف دیگر، یک مدار تقریبا مشابه نیز در تکنولوژی ?m13/0 به همراه ولتاژ منبع تغذیهv 2/1 شبیه سازی شده است. بازه فرکانسی این مدار نیز بین mhz750 الی ghz1 است. زمان قفل این مدار کمتر از ns60 در تمام بازه فرکانسی ذکر شده است. حداکثر توان مصرفی این مدارmw 1/3 در فرکانسghz 1 است.حداکثر و حداقل جیتر به ترتیب ps5/17 وps5/2 و حداکثر و حداقل جیتر peak-to-peak به ترتیب ps3/125 و ps7/19 می باشد. خطای چرخه کار برای حلقه قفل تاخیر با دو لبه سنکرون شونده پیشنهادی 1%±50 می باشد. نتایج شبیه سازی های صورت گرفته حاکی از آن است که استفاده از روش حلقه های قفل تاخیر با دو لبه سنکرون شونده می تواند بدون ایجاد مشکل در جیتر و یا مصرف توان صورت گیرد. همچنین این نتایج نشان می دهند که نه تنها زمان قفل، بلکه تمامی پارامترهای مهم در حلقه های قفل تاخیر ارتقاء پیدا نمودند. این امر زمانی به وقوع می پیوندد که ساختارهای مداری مناسبی انتخاب شده باشند. در نتیجه، زمانی که نیاز به استفاده از یک حلقه قفل تاخیر با دو لبه سنکرون شونده به جای یک لبه سنکرون شونده داریم، هیچ گونه نگرانی در مورد پارامترهای ذکر شده نخواهیم داشت.

۱۵ صفحه ی اول

برای دانلود 15 صفحه اول باید عضویت طلایی داشته باشید

اگر عضو سایت هستید لطفا وارد حساب کاربری خود شوید

منابع مشابه

طراحی و شبیه سازی مدار مجتمع بازیابی پالس ساعت و داده در نرخ 5 گیگابیت بر ثانیه با روش قفل فاز سریع برای گیرنده‌های مخابراتی پر سرعت

در این مقاله به طراحی و شبیه سازی یک مدار مجتمع بازیابی ساعت و داده­ی سریع با نرخ داده­ی 5 گیگابیت برثانیه با روش فاز میانی پرداخته شده است. مدارهای بازیابی پالس ساعت و داده از اهمیت ویژه­ای در مخابرات نوری برخوردار هستند و در گیرنده­های پرسرعت نقش کلیدی دارند. مدار پیشنهادی با به کارگیری روش فاز میانی و با استفاده از فناوری سی ماس18/0 میکرومتر در شبیه ساز ADS طراحی و شبیه ‌سازی ‌شده است. نتایج...

متن کامل

شبیه سازی و بهینه سازی مدار آسیاکنی شرکت روی تیران

امروزه شبیه سازی، ابزار بسیار مناسبی جهت بررسی فرآیندهای یک کارخانه است. در این پژوهش مدار آسیاکنی شرکت روی تیران به کمک نرم افزار ‌BMCS شبیه سازی شد. مدار آسیاکنی این شرکت دارای دو آسیای گلوله ای است که آسیای گلوله ای اول در مدار باز و دیگری در مدار بسته با هیدروسیکلون است. سرریز هیدروسیکلون به عنوان محصول مدار آسیاکنی شناخته می شود. پس از بررسی اولیه ی مدار این شرکت مشخص شد که بالا بودن انداز...

متن کامل

طراحی، شبیه ‏سازی و پیاده‌سازی یک مبدل بوست سه ‏سطحی بهره بالا با سلف کوپل‌شده و مدار کلمپ پسیو

پیشرفت‌های اخیر در منابع انرژی تجدیدپذیر نیاز به مبدل‏های DC-DC بهره بالا و بازده بالا را ایجاد کرده است. این نیازها عمدتاً از طریق استفاده از ترانسفورمرهای فرکانس بالا برای دستیابی به بهره‏ی مورد نیاز و مطلوب برآورده می‏شود. راه‏حل‏های الکترونیک قدرتی مبتنی بر پیکربندی‏های چند مبدله، راه‏حل‏های مقرون به صرفه‏ای را توسط تلفیق تعدادی از اجزا در توان ورودی و خروجی فراهم می‏کند. در این مقاله در ابت...

متن کامل

طراحی، شبیه ‏سازی و پیاده‌سازی یک مبدل بوست سه ‏سطحی بهره بالا با سلف کوپل‌شده و مدار کلمپ پسیو

پیشرفت‌های اخیر در منابع انرژی تجدیدپذیر نیاز به مبدل‏های DC-DC بهره بالا و بازده بالا را ایجاد کرده است. این نیازها عمدتاً از طریق استفاده از ترانسفورمرهای فرکانس بالا برای دستیابی به بهره‏ی مورد نیاز و مطلوب برآورده می‏شود. راه‏حل‏های الکترونیک قدرتی مبتنی بر پیکربندی‏های چند مبدله، راه‏حل‏های مقرون به صرفه‏ای را توسط تلفیق تعدادی از اجزا در توان ورودی و خروجی فراهم می‏کند. در این مقاله در ابت...

متن کامل

طراحی و شبیه سازی یک ترانزیستور SOI-MOSFET چند لایه‏ ای برای بهبود اثرات خود گرمائی

این مقاله طرح جدیدی برای ساختار ترانزیستورهایSOI-MOSFET به عنوان راهکاری مناسب برای کاهش اثرات مخرب پدیده خودگرمایی ارائه می دهد. ایده اصلی در ارائه این ساختار نوین٬ استفاده ازماده Si3N4 می باشد که دارای هدایت گرمائی بالاتری نسبت به اکسید سیلیسیم است. همچنین به کمک شبیه سازی دو بعدی٬ عملکرد این ساختار مورد تجزیه و تحلیل قرار گرفته است. نتایج بدست آمده نشان می دهند که ساختار SOI-MOSFET چند لای...

متن کامل

بهبود مدلسازی و شبیه سازی تغییر شکل در فرآیند خشک شدن

فرایند خشک شدن نقش مهمی در تولید بسیاری از مواد صنعتی مانند کاشی، آجر، سفال و . . . دارد. کیفیت محصولات خشک شده به شدت تحت تاثیر فرآیند خشک شدن است. هدف کار حاضر شبیه سازی فرآیند خشک شدن جابجایی یک سرامیک با استفاده از مدل نفوذ و با در نظر گرفتن تغییرات خواص فیزیکی و مکانیکی ماده مانند مدول یانگ و ضریب انقباض نسبت به رطوبت است. در این مطالعه فرایند خشک شدن در حالت دو بعدی و سه بعدی مورد بررسی ق...

متن کامل

منابع من

با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید

ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده

{@ msg_add @}


نوع سند: پایان نامه

دانشگاه آزاد اسلامی - دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران مرکزی - دانشکده مهندسی برق و الکترونیک

میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com

copyright © 2015-2023