تأثیر نقص نقطه ای بر خواص گرمایی نانو سیم سیلیکونی

هدف از این پژوهش محاسبه ی خواص گرمایی نانوسیم سیلیکونی در حضور تهی جای شبکه می باشد. این تحقیق با استفاده از روش شبیه سازی دینامیک مولکولی در هنگرد هم دما و هم فشار (npt) بر اساس پتانسیل بس ذره ای ترسف انجام شده است. خواص گرمایی از جمله انرژی بستگی، دمای ذوب، ظرفیت گرمایی ویژه در فشار ثابت و انبساط حرارتی نانوسیم سیلیکونی دارای نقص محاسبه و با نانوسیم کامل مقایسه شد. علاوه براین، کمیت هایی همچون میانگین مربع جابجایی و ضریب لیندمان به منظور اطلاع از ساختار بلوری و اختلال در اتم ها محاسبه شدند. تمام محاسبات برای هر دو، با وجود تهی جای شبکه به صورت کاتوره ای که از 3/0 تا 9/0 درصد افزایش یافته و بدون نقص، در دماهای مختلف انجام شده است. نتایج شبیه سازی نشان می دهد که با افزایش تهی جای شبکه انرژی بستگی، ضریب انبساط حجمی افزایش و دمای ذوب کاهش می یابد. ( همچنین تأثیر نقص نقطه ای از نوع تهی جا از 2/0 درصد تا 2/2 درصد بر خواص گرمایی بلور سیلیسیم در حالت ماکرو و تأثیر شعاع نانوسیم سیلیکونی بر ویژگی های گرمایی نانوسیم در این پژوهش انجام شده است )