مطالعه نظری خواص الکتریکی در اتصالات رسانا - نیمرسانا

پایان نامه
  • وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی شاهرود - دانشکده فیزیک
  • نویسنده زهره کردقاسمی
  • استاد راهنما حسین عشقی
  • سال انتشار 1393
چکیده

در این تحقیق نظری به بررسی وابستگی دمایی مشخصه جریان – ولتاژ (i-v) در برخی دیودهای شاتکی شامل اتصالات فلز-نیمرسانا (ms) au/n-gan (رشد یافته به دو روش متفاوت) و اتصالات فلز-اکسید-نیمرسانا (mos) در ساختار au/sio2/n-gaas، بر مبنای نظریه گسیل گرمایونی و نظریه تعمیم یافته آن پرداخته ایم. در گستره ولتاژهای اعمال شده پایین، تحلیل به کار گرفته شده در خصوص تعیین ارتفاع سد پتانسیل و ضریب ایده آلی مبتنی بر دو رهیافت می باشد: نظریه نخست بر پایه نوار-تخت در محل فصل مشترک با در نظر گیری تفاوت در ارتفاع سد پتانسیل در نقاط مختلف تماس ناشی از تاثیر نیروی بارهای تصویری و نظریه دوم بر پایه توزیع ناهمگون عرضی ارتفاع سد پتانسیل در نقاط مختلف فصل مشترک ناشی از ناهمواری ها سطح و نیز حضور ناراستی های بلوری. در نمونه های مورد بررسی معلوم شد که با افزایش دما ضریب ایده آلی قطعات روندی کاهشی و ارتفاع سد روندی افزایشی دارد. در تحلیل داه ها دریافتیم که در نظریه نخست ضریب دمایی تغییرات ارتفاع سد موثر بخوبی با ضریب دمایی گاف نواری نیمرسانا هماهنگ می باشد، و در نظریه دوم با در نظر گیری توزیع گوسی برای ارتفاع سد های پتانسیل عرضی کمیت انحراف معیار (که نشانگر میزان توزیع یک کمیت نسبت به مقدار میانگین اش است) پارامتر مهمی می باشد. در این بین هماهنگی قابل قبولی بین مقادیر ارتفاع سد موثر در نظریه اول و مقدار ارتفاع سد پتانسیل میانگین (قله توزیع گوسی) در نظریه دوم حاصل شد. علاوه بر این معلوم شد نظریه دوم نه تنها در بردارنده نتایج نظریه مقدماتی است بلکه به خوبی برآورنده بزرگی ضریب موثر ریچاردسون در این پیوندگاه هاست.

منابع مشابه

مطالعه نظری خواص الکترونی، اپتیکی و مغناطیسی نانو ساختارهای نیمرسانا

دراین مطالعه از روش های مونت کارلو، ترکیبی ژنتیک-مونت کارلو-وردشی ، ترکیبی ژنتیک-مونت کارلو-وردشی بایاس شده (ترکیب با روش برون یابی)، تفاضل محدود، ماتریس چگالی فشرده، ماتریس انتقال، مرز عبوری کوانتومی، نظریه تابعی چگالی اسپینی وابسته به دما و k.p شش نواره خودسازگار استفاده شده است. با کمک تقریب توابع پوش برای چاه های کوانتومی چندگانه gan/aln و gaal0.7as0.3/gaas با عرض کل ثابت حل شده و با کمک رو...

مطالعه نظری خواص ساختاری، الکتریکی و نوری نانوکلاسترهایBen@C20 (n=1-6)

دراین تحقیق، خواص ساختاری، الکتریکی و نوری فولرن C20همراه تعداد متفاوت از اتم های بریلیوم (Be) متصل برروی سطح آن بررسی شده است. نتایج نشان داد که پایداری نانوخوشه‌ها با اضافه‌کردن تعداد اتم‌های بریلیوم افزایش یافت و با افزایش تعداد اتم بریلیوم در اطراف C20، گاف HOMO-LUMO عموماً کاهش یافت ولی بیشترین کاهش در گاف انرژی (Eg) در دو ساختار Be4@C20-trans و Be6@C20 با گاف انرژی 69/0 و 49/0 دیده شد. همچ...

متن کامل

اثر ولتاژ درگاهی بر روی خواص ترابرد الکتریکی در اتصالات فولرین C60 به الکترودهای نانولوله کربنی

 In this paper, we examined the effect of gate voltage, bias voltage, contact geometries and the different bond lengths on the electrical transport properties in a nanostructure consisting of C60 molecule attached to two semi-infinite leads made of single wall carbon nanotubes in the coherent regime. Our calculation was based on the Green’s function method within nearest-neighbour tight-binding...

متن کامل

خواص ترابرد الکترونی نانولوله کربنی فلز - نیمرسانا - فلز

 In this work, we study electronic transport properties of a quasi-one dimensional pure semi-conducting Zigzag Carbon Nanotube (CNT) attached to semi-infinite clean metallic Zigzag CNT leads, taking into account the influence of topological defect in junctions. This structure may behave like a field effect transistor. The calculations are based on the tight-binding model and Green’s function me...

متن کامل

اثر ولتاژ درگاهی بر روی خواص ترابرد الکتریکی در اتصالات فولرین c۶۰ به الکترودهای نانولوله کربنی

 در این مقاله، اثر ولتاژ درگاهی، ولتاژ خارجی، اتصالات و طول پیوندهای مختلف را بر روی خواص ترابرد الکتریکی در یک نانوساختار متشکل از مولکول فولرین ( 60 c ) متصل به دو الکترود نیم بینهایت ساخته شده از نانولوله های کربنی تک جداره در رژیم همدوسی بررسی کرده ایم. محاسباتمان مبتنی بر روش تابع گرین مطابق با تقریب بستگی قوی (تنگ بست) نزدیک ترین همسایه است. بعد از محاسبه ضریب عبوردهی الکتریکی، جریان الک...

متن کامل

منابع من

با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید

ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده

{@ msg_add @}


نوع سند: پایان نامه

وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی شاهرود - دانشکده فیزیک

میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com

copyright © 2015-2023