تأثیر تغییرات ساختاری گیت و کانال در بهبود مشخصات کانال کوتاه ترانزیستورهای نانولوله کربنی

این پایان نامه به بررسی و شبیه سازی ترانزیستورهای نانولوله کربنی و ارائه سه ساختار جدید برای آنها می¬پردازد. با توجه به اهمیت کوچک شدن ترانزیستورها، در ساختارهای ارائه شده سعی کرده¬ایم که اثرات زیان بخش کانال کوتاه را کاهش دهیم. ترانزیستورهای نانولوله جدید پیشنهاد شده در این پایان نامه عبارتند از: 1- ترانزیستور نانولوله کربن با گیت دوقلو، 2- ترانزیستور اثر میدان نانولوله کربن با دوپینگ پله¬ای در ناحیه کانال، 3- ترانزیستور نانولوله کربن با دوپینگ نواری در کانال سپس هر کدام از این ساختارها را از لحاظ جریان نشتی، نسبت جریان روشن به خاموش، هدایت خروجی، نوسانات زیر آستانه و اثرات کانال کوتاه و همچنین از نظر سرعت و توان اتلافی بررسی می¬کنیم. نتایج شبیه سازی به ما نشان می¬دهد که در مقایسه¬های انجام شده هر کدام از این ساختارها مشخصات بهتری نسبت به ترانزیستورهای میدانی نانولوله کربن معمولی دارا می¬باشند. علاوه بر این، چند نمونه از ساختارهای ارائه شده بدین منظور مورد مطالعه قرار گرفته است. شبیه سازی¬ها در این پایان نامه با استفاده از تابع گرین نامتعادل انجام شده است. این روش، توانایی در نظر گرفتن محدودیت¬های مکانیک کوانتومی را دارا است.