تاثیر میدان مغناطیسی روی جریان جابه جایی اجباری و آرام نانو سیال در یک کانال با وجود پله پسرو و پیشرو
پایان نامه
- وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شهید باهنر کرمان - دانشکده فنی
- نویسنده سینا دلفاردی
- استاد راهنما عبدالرضا گنجعلیخان نسب
- تعداد صفحات: ۱۵ صفحه ی اول
- سال انتشار 1393
چکیده
در این مطالعه جریان جابه جایی اجباری و آرام نانو سیال درون یک کانال با وجود پله پسرو و پیشرو و در حضور یک میدان مغناطیسی یکنواخت مورد بررسی قرار گرفته است. معادلات پیوستگی، ناویر استوکس و انرژی به طور عددی و توسط الگوریتم سیمپل و روش بیان شده توسط پاتانکار و نوشتن کد در فرترن حل شده اند. این مطالعه برای گستره وسیعی از پارامترهای مهم از قبیل هارتمن ، رینولدز و نسبت حجمی نانو ذرات انجام شده است. نتایج نشان می دهد که میدان مغناطیسی خارجی، اندازه ی ناحیه ی گردابه ای را کاهش می دهد. به منظور بررسی تغییرات انتقال حرارت، توزیع عدد ناسلت روی دیواره پایینی و در ناحیه ی تو رفتگی بین دو پله رسم شده است. مشاهده شد که اعداد هارتمن و رینولدز به عنوان پارامترهایی در جهت کنترل انتقال حرارت جابه جایی عمل می کنند. مقایسه بین نتایج عددی مطالعه حاضر و یافته های بررسی های دیگر تطابق خوبی را نشان می دهد.
منابع مشابه
منابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده{@ msg_add @}
نوع سند: پایان نامه
وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شهید باهنر کرمان - دانشکده فنی
میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com
copyright © 2015-2023