طراحی یک مبدل dc-dc برای کاهش توان در تکنولوژی cmos مقیاس نانو
پایان نامه
- دانشگاه آزاد اسلامی - دانشگاه آزاد اسلامی واحد شاهرود - دانشکده مهندسی برق
- نویسنده ابوذر علائی قلعه نوئی
- استاد راهنما محمد آسیایی
- تعداد صفحات: ۱۵ صفحه ی اول
- سال انتشار 1393
چکیده
در این پایانامه طراحی یک مبدل dc-dc در تکنولوژی cmos 16nm انجام می گردد. مبدل های dc-dc جهت کاهش توان مصرفی و افزایش عملکرد مدارهای مجتمع cmos استفاده می شوند. ابتدا به معرفی روش های تبدیل ولتاژ در سطح نانومتر و غیر نانومتر در گذشته پرداخته می شود و سپس یک مبدل ولتاژ باک در سطح 16 نانومتر cmos شبیه سازی شده است. با توجه به نتایج شبیه سازی انجام شده استفاده از سوئیچ کمکی در مدار مبدل ولتاژ، برای راه اندازی نرم سوئیچ اصلی است و باعث می شود که تلفات سوئیچ زنی، در جریان صفر کاهش یابد و در نتیجه راندمان بالاتر و ولتاژ وجریان خروجی بهتری نسبت به مبدل باک معمولی درتکنولوژی مقیاس 16 نانومترcmos بدست آید. در این طرح ولتاژ ورودی 1 ولت است که با استفاده از روش، سوئیچ زنی در جریان صفر دو ولتاژ متفاوت 0.4 و 0.55 با حداکثر جریان های به ترتیب 80 میکرو آمپر و 106 میکرو آمپر و حداکثر راندمان 80% در مقیاس 16 نانومتر cmos بدست آمده اند.
منابع مشابه
منابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده{@ msg_add @}
نوع سند: پایان نامه
دانشگاه آزاد اسلامی - دانشگاه آزاد اسلامی واحد شاهرود - دانشکده مهندسی برق
میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com
copyright © 2015-2023