بررسی نظری ساختار الکترونی و ویژگی های شیمیایی عایق توپولوژیکی دو بعدی بیسموت: رهیافت نظریه ی تابعی چگالی

پایان نامه
چکیده

امروزه بیسموت با برهم کنش اسپین-مدار قوی و ساختاری لایه ای متشکل از دولایه ها، توجه زیادی را به سوی خود جلب کرده است. به منظور شناسایی ویژگی های ذاتی و آشنایی با عملکرد متفاوت گونه های مختلف (به خصوص گونه های محیطی) با به کارگیری نظریه ی تابعی چگالی برهم کنش اتم اکسیژن (به عنوان یک گونه ی محیطی) و اتم مغناطیسی پلاتین با نانو نوار زیگزاگ بیسموت (1×12) بررسی شده است. لازم به یادآوری است که سامانه ی بیسموت در ابعاد متفاوت دارای ویژگی های مختلفی است. به طوری که در سامانه ی شبه فلزی سه بعدی بیسموت با کاهش بعد، گستره ای از ویژگی های نارسانایی تا شبه فلزی در سامانه های متشکل از دولایه های آن دیده می شود. با انتخاب سامانه ای با بزرگ ترین شکاف نواری از میان سامانه های دوبعدی یاد شده و کاهش مجدد بعد آن، ویژگی توپولوژیکی دوبعدی (حالت های لبه و اتصال آن ها از طریق مخروط دیراک) نیز با افزایش اندازه ی نانونوار تا عرض 1×12 مشاهده شده است. ویژگی توپولوژیکی این نانونوار پس از انجام تعدادی بررسی (شامل توزیع چگالی بار نوارهای مرزی و اشباع شدن پیوندهای آزاد در لبه) مورد تایید قرار گرفته است. گزینش اتم اکسیژن و اتم مغناطیسی پلاتین نیز پس از بررسی جذب چندین اتم در سامانه ی دوبعدی بیسموت و ساختار نواری حاصل از آن ها صورت گرفته است. نتیجه ی بررسی ها گزینش موقعیت جانشینی را به وسیله ی اتم پلاتین و موقعیت پل را نیز توسط اتم اکسیژن و در هر دو حالت با جذب شیمیایی نشان می دهد. از سوی دیگر جذب گونه های جاذب پلاتین و اکسیژن در سامانه ی توپولوژیکی مربوطه، به ترتیب با جذب بار نسبت به خود و دفع آن، موجب القای ویژگی فلزی و ابقای ویژگی نارسانایی در توده ی دوبعدی عایق مربوط به نانونوار توپولوژیکی شده است. با ادامه ی بررسی های مربوط به آلاییدن نانونوار یک بعدی نیز ویژگی متفاوتی از سوی هر دو اتم پلاتین و اکسیژن مشاهده شده است.

۱۵ صفحه ی اول

برای دانلود 15 صفحه اول باید عضویت طلایی داشته باشید

اگر عضو سایت هستید لطفا وارد حساب کاربری خود شوید

منابع مشابه

بررسی نظری ساختار الکترونی و خواص شیمیایی عایق توپولوژیکی سه بعدی bi2se3: رهیافت نظریه ی تابعی چگالی

bi2se3 با سه بلوک پنج¬تایی کوچک¬ترین ساختاری است که دارای دو شکاف واندروالس بوده و می¬تواند به¬عنوان ساختار مدل برای شناخت جایگاه¬های فعال ساختار bi2se3 مورد استفاده قرار گیرد. موقعیت¬های ممکن برای جای-گیری اتم ناخالصی در دو شکاف واندروالس شامل 10 موقعیت مختلف است. پس از شناسایی جایگاه¬های فعال در ساختار تشکیل شده از سه بلوک پنج¬تایی، این جایگاه¬ها در ساختار تشکیل شده از شش بلوک پنج¬تایی مورد ا...

15 صفحه اول

محاسبه ی ویژگی های ساختاری و الکترونی tab2 با استفاده از نظریه ی تابعی چگالی اختلالی

در این پایان نامه پارامترهای ساختاری ویژگی های الکترونی ترکیب tab2 ، در فاز هگزاگونال با گروه فضایی p6/mmm محاسبه و مورد بررسی قرار گرفته است. محاسبات با استفاده از روش امواج تخت با شبه پتانسیل فوق نرم در چارچوب نظریه ی تابعی چگالی اختلالی با نرم افزار کوانتوم اسپرسو انجام شده است. در این روش برای انرژی همبستگی-تبادلی از تفریب شیب تعمیم یافته gga (pbe) استفاده شده است. ثابت های شبکه استفاده شده...

15 صفحه اول

بررسی خواص الکترونی و ترابردی نانو روبان های gan توسط رهیافت نظریه تابعی چگالی

در این پژوهش از بین نیمرساناهای گروه iii–v، گالیوم نیترید بدلیل داشتن دمای کوری بالای دمای اتاق و گاف نواری بزرگ به عنوان ماده مورد بررسی انتخاب گردید. سعی ما در این پژوهش یافتن ساختارهایی با ویژگی مناسب برای استفاده در مطالعات ترابردی بوده است. در قسمت اول خواص الکترونی، مغناطیسی نانو روبان خالص، دارای نقص و آلایش یافته gan با عناصر واسطه(cr, mn , fe, ni ) ، با استفاده از رهیافت نظریه تابعی چگ...

بررسی نظری ناخالصی‌های نیکل و طلا بر خواص الکترونیکی گرافین با استفاده از نظریه تابعی چگالی

در این مقاله، خواص الکترونی گرافین در حضور وغیاب ناخالصی‌های نیکل و طلا با استفاده از روش نظریه تابعی چگالی بررسی می‌شود. در تمامی موارد با استفاده از نتایج به دست آمده ساختار الکترونی، چگالی حالت‌ها، پایداری، گاف انرژی و گشتاور مغناطیسی مطالعه شده است. محاسبات ما با استفاده از نرم افزار SIESTA انجام شده و از تقریب‌های GGA و LDA برای پتانسیل تبادلی- همبستگی استفاده شده است. با افزایش اندازه‌ی م...

متن کامل

محاسبه ساختار الکترونی و ایجاد گاف نواری در نانولایه ی گرافن با نظریه ی تابعی چگالی

در این پژوهش به بررسی ایجاد گاف نواری در گرافن با استفاده از چینش بر روی لایه ی بورنیترید شش-گوشی پرداخته شده است. به این منظور ویژگی های ساختاری و الکترونی تک لایه های گرافن و بورنیترید، و دستگاه دولایه ای گرافن/بورنیترید مورد بررسی قرار گرفته است. محاسبات برپایه نظریه ی تابعی چگالی و با استفاده از کد محاسباتی pwscf مبتنی بر شبه پتانسیل انجام شده است. نتایج عدم وجود گاف نواری در گرافن و عایق ب...

منابع من

با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید

ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده

{@ msg_add @}


نوع سند: پایان نامه

وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تحصیلات تکمیلی علوم پایه زنجان - دانشکده شیمی

میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com

copyright © 2015-2023