بررسی و شبیه سازی ساختارهای جدید در کاهش اثرات کانال کوتاه در ترانزیستورهای اثر میدان نانولوله کربنی

پایان نامه

دانشگاه آزاد اسلامی واحد کرمانشاه - دانشکده مهندسی برق
نویسنده مریم قدرتی
استاد راهنما علی نادری
سال انتشار 1393

چکیده

در این پایان نامه به بررسی و شبیه سازی ساختارهای جدید ارائه شده در بهبود اثرهای کانال کوتاه از قبیل جریان نشتی، نوسان های زیرآستانه و کاهش سد ناشی از القای درین پرداخته شده است.هم چنین یک ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی جدید به منظور کاهش اثرهای کانال کوتاه ارائه شده است.برای شبیه سازی این افزاره ی پیشنهادی از حل خودسازگار معادله های پواسون- شرودینگر و روش تابع گرین غیرتعادلی، برای حل معادله انتقال، استفاده شده است.

منابع مشابه

منابع من

با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید

ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده

{@ msg_add @}

نوع سند: پایان نامه

دانشگاه آزاد اسلامی واحد کرمانشاه - دانشکده مهندسی برق

کلمات کلیدی

ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی

میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com