رشد و مشخصه یابی لایه های نازک znse آلایش یافته با عناصر گروه iiia

در این پایان نامه خواص ساختاری و اپتیکی لایه های نازک سلنید روی (znse) که به روش تجزیه گرمایی افشانه ای بر روی زیرلایه های شیشه ای رشد داده شدند، مورد بررسی قرار گرفته است. سپس اثر پارامترهای گوناگون رشد مانند: آهنگ شارش محلول انباشت (4، 8 و ml/min10)، حجم محلول انباشت (50، 75 و ml100 )، دمای زیرلایه ( 380، 400 و °c420 ) و عملیات بازپخت و همچنین حضور ناخالصی آلومینیوم بر روی خواص ساختاری و اپتیکی آنها مورد بررسی قرار گرفتند. برای بررسی خواص ساختاری نمونه ها از تصاویر میکروسکوپ الکترونی روبشی گسیل میدانی (fesem) و پراش سنج اشعه ایکس (xrd) استفاده شد. برای بررسی خواص اپتیکی نمونه ها از اندازه گیری طیف عبور با یک دستگاه طیف سنج نوری (uv-vis) استفاده گردید.