ترانزیستورهای گرافنی سه پایانه ای و برهمکنش اسپین مدار رشبا

پایان نامه

وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه کاشان - دانشکده فیزیک
نویسنده علی صحت
استاد راهنما روح اله فرقدان
سال انتشار 1394

چکیده

وجه اصلی تمایز کار ما این است که اتصالات نانو ترانزیستورهای اثر میدانی، از نوع اتم های کربن می باشند، که در زیر به تفصیل شرح می دهیم. 1- ترانزیستورهای طراحی شده سه پایانه ای می باشندکه کنترل جریان خروجی توسط اتصال گیت به کانال صورت می گیرد. 2- جنس الکترودها گرافن و از نانو نوارهای مختلف می باشند همچنین جنس کانال نیز از دیسک یا حلقه گرافنی می باشد که موجب کاهش اثرات مقاومت سطح تماس می شود. 3- تمرکز روی اتصالات نانو نوارهای آرمچیری می باشد که معمولا از نانو نوارهای لبه زیگزاگ استفاده می شود. 4- با توجه به نتایج در طراحی نانو ترانزیستورهای سه پایانه ای سعی در بالا بردن قطبش اسپین الکترون می باشدکه با اتصال گیت این جریان را کنترل و تقویت می کنیم. از طرفی جریان های خروجی، جریان های وابسته به اسپین می باشند.

منابع مشابه

منابع من

با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید

ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده

{@ msg_add @}

نوع سند: پایان نامه

وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه کاشان - دانشکده فیزیک

کلمات کلیدی

ترانزیستور اثر میدانی اسپینی اسپین مدار رشبا

میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com