با استفاده از تئوری ساده موج اسپینی، مغناطش و پارامتر سختی موج اسپینی (b) در حضور جفت شدگی تبادلی بین لایه ای و میدان مغناطیسی کاتوره ای برای چندلایه ای fe(110)/ag(111) به دست آمده است. ساختارهای مغناطیسی فوق نازک کاربردهای فراوانی در نانوتکنولوژی به عنوان مثال اسپینترونیک دارند، که از آن جمله می توان به حسگرهای مغناطیسی، ضبط مغناطیسی داده ها با چگالی بالا، mram و غیره اشاره کرد. همچنین می توان گفت که سرعت خواندن داده ها (cpu) نیز به پارامتر سختی موج اسپینی وابسته است. از رایج ترین راه ها برای مطالعه خواص مغناطیسی لایه های نازک مغناطیسی، مطالعه مغناطش و پارامتر سختی موج اسپین می باشد. از این رو تئوری موج اسپینی را جهت محاسبه این کمیت ها به کار گرفته ایم. جفت شدگی تبادلی بین لایه ای با ضخامت لایه میانی نوسان می کند، که این خاصیت برای تعداد زیادی از سیستم های فلزی فرومغناطیس/غیرمغناطیس در ابتدای کشف پدیده مقاومت مغناطیسی غول آسا به دست آمد. در فصل مشترک چندلایه ای های واقعی ناهمواری وجود دارد که می تواند جفت شدگی تبادلی بین لایه ای را تحت تاثیر قرار دهد. اثر ناهمواری را به صورت میدان مغناطیسی کاتوره ای در نظر گرفته ایم، که ناشی از وجود نوسانات کاتوره ای در ضخامت لایه میانی می باشد. با استفاده از تئوری rkky می توان جفت شدگی تبادلی بین لایه ای را به میدان مغناطیسی کاتوره ای مربوط کرد. در این رساله، حالت های جفت شدگی تبادلی بین لایه ای فرومغناطیسی و پادفرومغناطیسی در حضور میدان مغناطیسی کاتوره ای جهت یافتن مغناطش و پارامتر موج اسپینی، در دماهای پایین، مورد بررسی قرار گرفته است. نتایج نشان می دهد که حضور این میدان کاتوره ای می تواند به شدت خواص مغناطیسی بنیادی چندلایه ای فوق نازک، مانند مغناطش و پارامتر b، را تحت تاثیر قرار دهد. نتایج ما نشان می دهد که هر دوی این کمیت ها با ضخامت لایه میانی نوسان می کنند، و دوره تناوب نوسانات در حضور میدان کاتوره ای دو برابر دوره تناوب در عدم حضور آن است. بیشترین اثر میدان کاتوره ای بر روی مغناطش و پارامتر b هنگامی است که مقدار جفت شدگی تبادلی در حین نوسانات صفر می شود.