با کوچکتر شدن اندازه قطعات نیمه هادی به کمتر از 100 نانومتر، اثرات مکانیک کوانتومی در کارایی قطعه، خود را نشان می دهد. از اینرو محاسبات مربوط به مشخصه های جریان– ولتاژ ترانزیستور لایه نازک آلی بسیار پیچیده می شود. در این پایان نامه، مدل سازی ترانزیستور لایه نازک آلی با استفاده از شبکه های عصبی مصنوعی انجام شده است. این مدل سازی بر اساس داده های تجربی با بهره گیری از شبکه های عصبی مصنوعی می باشد که در مقایسه با نرم افزارهایی مانند silvaco دارای دقت بالاتری می باشد. نتایج بدست آمده نشان میدهد که مدل پیشنهاد شده و روابط بدست آمده دارای میانگین خطای نسبی 1/0 درصد نسبت به نتایج تجربی می باشد. مدل پیشنهادی که با استفاده از شبکه عصبی پرسپترون چند لایه بدست آمده، جهت ارزیابی به صورت یک زیرمدار در برنامه شبیه ساز hspice گنجانده شده است و می توان از آن به عنوان ابزار مناسبی جهت شبیه سازی مدارات مقیاس نانواستفاده کرد.

چکیده ندارد.