چکیده هدف: عوامل درمانی متنوعی جهت درمان کوفتگی عضلانی تاخیری و دیگر دردهای اسکلتی-عضلانی وجود دارد، اما شواهد کمی دال بر کارآمدی این مدالیته های کاربردی وجود دارد. در این مطالعه ما تغییرات در درد ادراک شده، دامنه های حرکتی اکستنشن و پرونیشن مفصل آرنج، آستانه درد فشاری و کاهش قدرت در آزمودنی هایی که کوفتگی عضلانی تاخیری در گروه عضلات خم کننده آرنج خود تجربه کرده اند و با یکی از روش های تحریک جلدی الکتریکی اعصاب، ویبریشن، ترکیب تحریک جلدی الکتریکی اعصاب و ویبریشن مورد درمان قرار گرفته اند را، مقایسه می کنیم. همچنین اثرات ترکیب کشش ایستا با این روش ها نیز، بر روی عوامل نامبرده شده بررسی می گردد. روش ها: 40 زن غیرورزشکار سالم (سن=3±26.85 سال) به صورت تصادفی در یکی از چهار گروه ویبریشن (تعداد=10)، تحریک جلدی الکتریکی اعصاب (تعداد=10)، ترکیب تحریک جلدی الکتریکی اعصاب و ویبریشن (تعداد=10) و کنترل (تعداد=10) قرار داده شدند. از یک ویبراتور، جهت اعمال ویبریشن با فرکانس 50 هرتز، بر روی عضله دوسربازوئی دست غیر برتر آزمودنی ها، به مدت یک دقیقه، در گروه های ویبریشن و ترکیب تحریک جلدی الکتریکی اعصاب و ویبریشن استفاده گردید. سپس کوفتگی عضلانی تاخیری، در گروه عضلات خم کننده آرنج دست غیر برتر افراد، با انجام انقباضات برون گرای مکرر ایجاد شد. 24 ساعت بعد از انقباضات، تحریک جلدی الکتریکی اعصاب ( با فرکانس های داخلی و خارجی به ترتیب 70 و 2 هرتز )، به مدت 30 دقیقه، روی گروه عضلات خم کننده آرنج اعمال گردید. 48 ساعت بعد از تمرینات، در هر چهار گروه، کشش ایستا بر روی عضله دوسربازوئی به کار برده شد. اندازه گیری ها قبل و بلافاصله بعد از انجام تمرینات و همچنین 24 و 48 ساعت بعد از انجام تمرینات ( قبل و بعد از اعمال تحریک جلدی الکتریکی اعصاب و کشش ایستا ) گرفته شد. نتایج: تجزیه و تحلیل آماری نتایج به دست آمده، کاهش قابل ملاحظه در درد ادراک شده در گروه های ویبریشن، تحریک جلدی الکتریکی اعصاب و ترکیب تحریک جلدی الکتریکی اعصاب و ویبریشن، نشان داد ( به ترتیب 0.024=p، 0.017=p و 0.003=p ). کشش ایستا نیز درد ادراک شده را به میزان قابل ملاحظه ای کاهش داد ( 0.002=p ). درمان ترکیبی ویبریشن و تحریک جلدی الکتریکی اعصاب، باعث افرایش دامنه حرکتی اکستنشن مفصل آرنج گردید ( 0.019=p ). به دنبال درمان با تحریک جلدی الکتریکی اعصاب، قدرت عضله به میزان قابل ملاحظه ای افزایش یافت ( 0.012=p ). کشش ایستا باعث تغییر در تمام متغیرهای وابسته گردید، که این تغییرات از لحاظ آماری معنادار بودند ( 0.05>p ). بحث: نتایج این مطالعه نشان داد که کشش ایستا بهترین روش موثر در کاهش عوارض ناشی از کوفتگی عضلانی تاخیری می باشد. واژه های کلیدی: ویبریشن، تحریک جلدی الکتریکی اعصاب، تمرینات کششی، کوفتگی عضلانی تاخیری

در این پژوهش، نانوذرات سیلیکا (sio2) و نقره (ag) به ترتیب به روش هم رسوبی و احیای شیمیایی تهیه شده اند. نخست، اثر غلظت محلول اولیه تترا اتیل اورتو سیلیکات (teos) بر روی خواص ساختاری و اپتیکی نانوذرات سیلیکا بررسی شد. سپس، اثر غلظت محلول اولیه نیترات نقره و نوع و غلظت محلول های احیاکننده بورو هیدرید سدیم و بورو هیدرید پتاسیم و تأثیر عامل پاشنده ساز پلی وینیل پیرولیدن بر روی خواص ساختاری و اپتیکی نانوذرات نقره بررسی شد. نتایج این بررسی ها نشان داد که غلظت بهینه برای تترا اتیل اورتو سیلیکات، m1/0 است. برای نانوذرات نقره نتایج بررسی ها نشان داد که بهینه ترین غلظت محلول نیترات نقره m05/0 و بهترین عامل احیاکننده بورو هیدرید سدیم با غلظت m2/0 است. در مرحله بعد، با استفاده از این پارامترهای بهینه، نانوذرات هسته- پوسته سیلیکا- نقره (sio2@ag) سنتز شدند. خواص ساختاری و اپتیکی نانوذرات سیلیکا، نقره و نانوذرات هسته- پوسته سیلیکا- نقره با استفاده ازاندازه گیری های پراش پرتو ایکس (xrd)، آنالیز tem و طیف سنجی uv-vis مطالعه شدند. نتایج حاصل از آنالیز xrd نشان دهنده ساختار آمورف نانوذرات سیلیکا است. با توجه به تصاویر tem برای غلظت بهینه تترا اتیل اورتو سیلیکات، نانوذرات سیلیکا همگن ودارای قطری در حدود nm200 هستند. برای نانوذرات نقره ساختار مکعبی مرکز سطحی نقره تشکیل شد. برای نانوذرات هسته- پوسته نیز قله های متناظر با فاز مکعبی مرکز سطحی نقره مشاهده شد. نتایج آنالیز xrd و tem برای نانوذرات نقره به خوبی اثر پاشنده سازی پلی وینیل پیرولیدن را نشان داد. با توجه به داده های xrd برای غلظت بهینه نیترات نقره و بورو هیدرید سدیم، اندازه بلورک های نقره در غیاب پلی وینیل پیرولیدن و در حضور آن به ترتیب، برابر nm24 و nm14 هستند. طیف های جذبی uv-vis نانوذرات نقره یک قله در حدود nm400 نشان می-دهد که به دلیل برانگیختگی تشدید پلاسمون سطحی نانوذرات نقره است. طیف جذبی uv-vis نانوذرات سیلیکا هیچ قله مشخصی نشان نمی دهد، ولی پس از رسوب گذاری نانوذرات نقره بر روی نانوذرات سیلیکا یک قله در نزدیکی nm400 به دلیل تشدید پلاسمون سطحی نانوذرات نقره ظاهر می شود. برای نانوذرات سیلیکا با افزایش غلظت محلول تترا اتیل اورتو سیلیکات، گاف اپتیکی نانوذرات سیلیکا کاهش می یابد. از سوی دیگر، گاف اپتیکی نانوذرات هسته- پوسته سیلیکا- نقره نسبت به نانوذرات سیلیکای بدون روکش افزایش می یابد، که به دلیل پوشش نانوذرات نقره است.