چکیده با روی کارآمدن غازان (703-694هـ .ق) و پذیرش اسلام از جانب وی، دوره ی اعتلایی در حکومت ایلخانان پدیدار گشت. هنگامی که غازان به سلطنت رسید، انجام یک سری اصلاحات پر دامنه برای بهبود و ترقی اوضاع حکومت ضروری بود به همین منظور ایلخان به کمک دبیران و دیوان سالاران ایرانی برآن شد تا با انجام اصلاحاتی در امور مختلف و به ویژه در زمینه اوضاع اجتماعی و اقتصادی، حکومت را از نابسامانی وآشفتگی برهاند و جامعه را به سوی پیشرفت و ترقی سوق دهد. رشیدالدین فضل الله همدانی که از بزرگان فضل و ادب بود و مقام وزارت غازان را بر عهده داشت، در واقع مبتکر و طراح اصلی اصلاحات غازان بود و در انجام این اصلاحات نقشی اساسی داشت. اساس سیاست و اصلاحات غازان بر مرکزیت حکومت، احیای اقتصاد مالی و کشاورزی و تأمین رفاه اجتماعی مردم استوار بود تا بتواند از این طریق موجبات دوام دولت ایلخانی را فراهم سازد. انجام این اصلاحات و فرامین در امور مختلف باعث شد تا تغییرات عمده ای در اوضاع سیاسی، اجتماعی و اقتصادی حکومت ایجاد شود که این اصلاحات و تغییرات در نهایت پیشرفت و بهبود نسبی اوضاع حکومت ایلخانی را در پی داشت. در این میان ، سیاست های اجتماعی و اقتصادی غازان و فرامین وی در این زمینه توانست نقش اساسی در بهبود اوضاع قلمرو ایلخانی ایفا کند. پژوهش حاضر اوضاع اجتماعی و اقتصادی عصر سلطنت غازان، اصلاحات ایلخان در این زمینه و تأثیر آنها بر وضعیت اجتماعی و اقتصادی حکومت در این دوره را مورد توجه و بررسی قرار می دهد. کلید واژه ها: ایران، ایلخانان، غازان، رشیدالدین، اصلاحات، اجتماعی، اقتصادی.

در تحقیق حاضر ترابرد اسپینی در یک دیواره حوزه مغناطیسی که در بین دو ناحیه فرومغناطیس با مغناطش پاد موازی قرار دارد مطالعه شده است. معادلات پخش برای مولفه های انباشت اسپینی عرضی با استفاده از معادلات جنبشی در فضای ویگنر و پس از آن افت ولتاژ و مقاومت الکتریکی اضافی از انباشت اسپینی در دیواره مغناطیسی محاسبه شده است. نتایج به دست آمده نشان دهنده این نکته است که انباشت اسپینی عرضی از دو قسمت مستقل و وابسته به مکان تشکیل شده است طوریکه در دیواره های ضخیم انباشت اسپینی در داخل دیواره مستقل از مکان و در دیواره های نازک وابسته به مکان است (بجز در مرزهای دیواره). افت ولتاژ و مقاومت الکتریکی اضافی از انباشت اسپینی به صورت نمایی بر حسب ضخامت دیواره کاهش می یابد. سپس اثر جفت شدگی اسپین-مدار راشبا بر روی انباشت اسپینی و نتیجه آن بر روی مقاومت الکتریکی اضافی بررسی شده است. نتایج این بررسی نشان دهنده افزایش انباشت اسپینی عرضی و مقاومت الکتریکی اضافی تحت تأثیر این برهمکنش است.

می دانیم که با افزودن ناخالصی به یک سیستم خالص، تقارن آن سیستم از بین می رود و باعث به وجود آمدن پراکندگی در موج ورودی به داخل سیستم می شود که از جمله این تقارن ها، تقارن انتقالی می باشد. در محیط های با این ویژگی الکترون از تئوری بلوخ پیروی نمی کند و در مسیر خود با عوامل پراکندگی مواجه می شود. چون ناخالصی مورد نظر معمولا به صورت تصادفی وقطری می باشد اگر بخواهیم این سیستم را مورد مطالعه قرار دهیم با مشکلات فراوانی روبه رو می شویم که از لحاظ تحلیلی بررسی این سیستم را ناممکن می کند. در روش تقریب پتانسیل همدوس با معرفی یک محیط معادل با سیستم مورد مطالعه، این مشکل را برطرف می کنند. محیط معادل در واقع سیستم معادل با سیستم مورد مطالعه است که تقارن انتقالی دارد. در این پایان نامه خواص سیستم های الکترونی با ناخالصی های جانشینی تصادفی از طریق محاسبه تابع گرین تک الکترونی با میانگین گیری روی کل پیکربندی سیستم، تحت تئوری پراکندگی چندگانه بررسی می شود. اهمیت این رهیافت در عدم استفاده از توابع موج الکترونی در محاسبه خودانرژی سیستم می باشد که به جای آن از تابع گرین استفاده می شود. سیستم اصلی مورد مطالعه ما در این پایان نامه، شبکه کریستالی دوبعدی گرافین با زیرشبکه-هایa و b در حضور ناخالصی های جانشینی می باشد. ناخالصی در یکی از زیر شبکه های مذکور جایگزیده می شود که تاثیر ناخالصی با پارامترx مشخص می شود. با استفاده از روش تقریب پتانسیل همدوس می توان خود انرژی های مربوط به الکترون در اتم های محیط معادل و در نتیجه تابع گرین آن اتم ها را از طریق رهیافت خود سازگاری بدست آورد. در ادامه می توان چگالی حالت های الکترونی را بااستفاده از خود انرژی های بدست آمده برای هر انرژی بدست آورد. با محاسبه چگالی حالت های الکترونی در انرژی های مشخص، می توان توسط معادله کوبو-گرینوود مقدار رسانندگی اپتیکی را در دمای معین محاسبه کرد. مشاهده خواهیم کرد که با افزایش مقدار ناخالصی، چگالی حالتها در انرژی های معین و رسانندگی اپتیکی کاهش می یابند. همچنین با توجه به قله نمودار چگالی حالت در محدوده انرژی های شاهد بیشترین مقدار رسانندگی در مقدار فرکانس هستیم که مطابق انتظار ما از محاسبات می باشد. با توجه به اینکه ما در این پژوهش از فرم کلی رابطه پاشندگی گرافین تحت مدل تنگ بست برای نزدیکترین همسایه ها، استفاده کرده ایم می توان عدم تقارنی در رابطه پاشندگی در انرژی های بالاتر مشاهده کرد که منجر به ناهمسانگردی رسانندگی اپتیکی در جهت های y,x می شود.

در این رساله، الگوریتم fdtd برای یک محیط پلاسمای مغناطیسی که هر دو خاصیت ناهمسانگردی و پاشندگی را توأمان دارد، بدست آمده است. یک تیغه نازک از جنس نیکل که در راستای عمود بر صفحه خود مغناطیده شده تحت تابش امواج تراهرتز قرار می گیرد، بطوریکه میدان مغناطیسی استاتیک درون ماده با اعمال درجه ای از پیچیدگی در آنالیز محیط موجب ناهمسانگردی آن می شود. حل گذرا مسأله توسط یک موج فرودی با قطبش در راستای محور x باعث تولید مولفه y از میدان الکتریکی می شود. پس از گرفتن تیدیل فوریه دو مولفه میدان الکتریکی و تقسیم آن دو بر هم، زاویه چرخش فارادی تا میزان 35 میلی رادیان به ازای 100 نانومتر ضخامت لایه نیکل بدست آمده است.

در این پایان نامه ما به بررسی پدیده های اپتیکی خطی و غیرخطی در نقاط کوانتومی inas/gaas پرداختیم. در ابتدا نقطه ی کوانتومی و لایه ی مرطوب inas در کلاه و زیرلایه ی gaas را با برنامه comsol multiphysics مدل سازی کردیم. در واقع ما به حل عددی معادله ی شرودینگر در برای نقاط کوانتومی گنبدی شکل با روش اجزای محدود پرداختیم. شعاع نقاط کوانتومی را از 1 تا 30 نانومتر تغییر دادیم. با استفاده از محاسبات عددی توابع موجی، انرژی ها و فرکانس های گذار بدست آمد. سپس با استفاده از توابع موجی و کد خود-نویس، عناصر ممان دوقطبی برای نقاط کوانتومی مورد بحث به دست آمد. در مرحله بعد با استفاده از روش ماتریس چگالی، به بررسی ویژگیهای خطی و و ویژگی های غیر خطی درجه ی دوم وسوم پرداختیم. اثر اندازه نقاط کوانتومی در توابع موجی، ویژه مقادیر انرژی، ممان دوقطبی های انتقال، پذیرفتاری خطی، و پذیرفتاری غیر خطی درجه و درجه سه (اثر غیر خطی کر) به تفصیل مورد بررسی قرار گرفته است. در قسمت بعد اثر حضور و غیاب لایه ی مرطوب نیز در همه ی ویژگیهای یاد شده مورد بررسی قرار گرفته است. در نهایت اثر پتانسل وودس-ساکسون نیز در توابع موجی، پذیرفتاری خطی، و سرعت گروه مورد بررسی مطالعه قرار گرفت.

منظور از دو(چند)پایایی نوری، حالتی است که در آن دو(چند) شدت خروجی پایدار متفاوت برای یک شدت ورودی معین ممکن می شود. خاصیت دوپایایی نوری، یکی از اصول مهمی است که در ساخت ترانزیستورها، کلیدها، مدارهای منطقی، حافظه ها و ... به کار گرفته می شود. قابلیت کنترل پذیری سیستم های همدوس نظیر سیستم های گازی، این امکان را ایجاد کرده است که بتوان آستانه ی دوپایایی نوری را در شدت های پایین کنترل کرد. از طرفی وجود عوامل محدود کننده ای نظیر حرکت مولکول ها، برخورد آن ها و ایجاد اثر دوپلر باعث شده است سیستم های گازی برای مدارهای الکترونیکی مناسب نباشند. از طرفی بسیاری از پدیده های نوری جالب در حوزه ی تداخل و همدوسی کوانتمی می توانند همانند سیستم های اتمی در محیط های نیم رسانا نیز ظاهر شوند. مواد نیم رسانا نقش مهمی در اپتیک غیرخطی ایفا می کنند؛ زیرا پاسخ نوری غیرخطی بزرگی داشته و برای ساخت قطعات مجتمع در الکترونیک، لیزرهای نیم رسانا و اجزاء نوری غیرخطی که همگی بر روی یک بستر نیم رسانا ساخته می شوند مناسب اند. در بین مواد نیم رسانا، نیم رساناهای ابعاد پایین شامل نقاط کوانتمی و نیز چاه های کوانتمی توجه خاصی را در زمینه ی ادوات الکترونیکی به خود جلب کرده اند. پاسخ نوری غیرخطی بزرگ، زمان واهلش سریع و قابلیت انعطاف پذیری بالا، این مواد را در زمره ی سیستم های مورد علاقه برای مطالعه ی رفتارهای خطی و غیرخطی قرار داده است. در این پایاننامه رفتار دو(چند)پایایی نوری چاههای کوانتمی دوگانه و سه گانه ی gaas-algaas در مجاورت یک مشدد نیم رسانا مطالعه شده است. در سیستم چاه کوانتمی دوگانه، کنترل دامنه ای و فازی دو(چند)پایایی در حضور اثر تداخل کوانتمی بررسی شده است. در ادامه کنترل الکتریکی و نوری دو(چند)پایایی توسط تونل زنی بین چاه ها و اثر دمش ناهمدوس در چاه کوانتمی سه گانه مطالعه شده است.

پلاسمون ها دارای مدهای تشدیدی هستند که به شکل و اندازه نانوذرات بستگی دارند. رفتار تشدیدی پلاسمون ها بدلیل محبوس بودن الکترون های رسانش در داخل نانوذرات فلزی است و در اثر این محدودشدگی، یک جابجایی الکترومغناطیسی القایی می تواند پولاریزاسیون سطحی ایجاد کند. بدلیل قطبش پذیری قوی نانوذرات در حالت تشدید پلاسمونی، انرژی موج الکترومغناطیسی فرودی جذب پلاسمون شده و باعث افزایش میدان موضعی در حجم نانوذره خواهد شد. مقداری از انرژی بدست آمده توسط پلاسمون در فلز تلف شده و بقیه آن تابش می کند. اگر یک موج الکترومغناطیسی بر یک نانوحلقه فلزی غیرمغناطیسی که دارای ثابت دی الکتریک ?(?) است، بتابد بطوریکه میدان مغناطیسی عمود بر قرص موازی محور عمودی آن باشد، میدان الکتریکی موج الکترومغناطیس باعث می شود که الکترون های رسانش در یک طرف نانوحلقه جمع شده و طرف دیگر آن خالی از الکترون شود و یک دوقطبی الکتریکی داخل فلز ایجاد گردد. با نوسان میدان الکتریکی، دوقطبی نوسان کرده و یک موج الکترومغناطیس از خود گسیل می کند که بدان پدیده لومینسانس گوییم. حال اگر نانوحلقه فلزی دارای مغناطش باشد، انتظار می رود که میدان تابشی به جهت مغناطش ماده بستگی داشته باشد.

در این پایان نامه، تشدیدگر حلقوی جفت شده با یک موجبر منفرد و دو موجبر مورد مطالعه و بررسی قرار گرفته است. تشدیدگر حلقوی جفت شده با دو موجبر که اصطلاحاً فیلتر تلفیق کننده/تفکیک کننده نام دارد، یکی از اجزاء مهم مالتی پلکس تفکیک طول موجی به شمار می رود و می تواند کانا ل های خاصی را از چندین کانال ورودی جدا نماید. موجبرهای عادی به طور موثر نمی تواند امواج الکترومغناطیسی را از گوشه های تیز عبور دهند. همچنین، مدهای جایگزیده نمی توانند در چنین موجبرهای باریک و حتی مستقیم تولید شوند. در حالی که موجبرهای گاف نواری اپتیکی بر خلاف آنچه که در موجبرهای عادی وجود دارد، می توانند مدهای گاف نواری را با بیشترین جایگزیدگی منتشر نمایند. به منظور تولید مدهای انتشاری جایگزیده که منجر به کاهش ابعاد در مدارات اپتیکی می گردد، ما تشدیدگرهای مربعی شکل بلور فوتونی را معرفی می کنیم و سپس با اضافه نمودن چهار میله پراکنده ساز در گوشه ها عملکرد سیستم را بهبود می بخشیم.

در این رساله یک موجبر بلور فوتونی با شبکه مثلثی از حفره های دایروی هوا در زمینه سیلیکون روی عایق برای انتشار نور کند با باند مسطح، مطالعه و بررسی شده است. با تزریق سیال نوری با ضرایب شکست مختلف ??_1 و ??_2 در دو ردیف مجاور موجبر، ویژگیهای موجبر از قبیل حاصل ضرب تأخیر در پهنای باند نرمالیزه شده(ndbp)، ضریب شکست گروه و پاشندگی سرعت گروه به طور همزمان بهینه می شوند. مقادیر مناسب ndbp از 0.187 تا 0.377 در گستره نواری 12 تا 32 نانومتر حاصل شده اند. برای افزایش ضریب شکست گروه، سیال نوری فقط در ردیف اول تزریق شده است. برای بدست آوردن نتایج از روش شبیه سازی بسط موج تخت(pwe) و fdtd استفاده شده است.