در این تحقیق عامل دار کردن نانولوله های کربنی تک دیواره (5, 5) و (8,0) بوسیله نوکلئوبازها انجام شد ساختارهای بدست آمده از طریق محاسبات طیف سنجی nmr و nqr مورد مطالعه قرار گرفت. ابتدا ساختارها در سطح b3lyp/6-31g* بهینه شده و سپس برای آنها تانسورهای efg و cs در سطح b3lyp/6-31++g** محاسبه شدند. در اثر اتصال نوکلئوباز به نانولوله کربن هیبریداسیون کربن در محل اتصال به sp3 تغییر می کند و جابجایی شیمیایی در این کربن نسبت به نانولوله های بدون اتصال تفاوت قابل ملاحظه ای نشان می دهند این جابجایی شیمیایی از 2/125 به 64 در نانولوله (5,5) گوانین< 65 در نانولوله (5,5)-آدنین و 69 در نانولوله (5,5) –سیتوزین و تیمین تغییر می کند. متوسط جابجایی شیمیایی در ساختارهای نانولوله (5,5) نوکلئوباز برای کربن های استخلاف نشده تا حدودی کمتر از کربن های معادل در نانولوله های بدون اتصال است. اختلاف در جابجایی شیمیایی کربن های استخلاف نشده بدلیل وجود نوکلئوبازها منجر به پهن شدن قابل توجه پیک در طیف شبیه سازی شده می شود. ساختار نانولوله های استخلاف شده پس از بهینه شدن در تمام موارد یک سطح مقطع تخم مرغی شکل را عمود بر محور لوله نشان می دهد. می توان انتظار داشت که این تغییر ساختار منجر به جابجایی قابل ملاحظه ای در طیف nmr کربن های استخلاف نشده در نانولوه بشود. برای مثال از نانولوله (5,5) آدنین پس از بهینه سازی آدنین را حذف کرده و بدون بهینه سازی مجدد محاسبات nmr بر روی آنها انجام گرفت. جابجایی متوسط کربن ها با صرفنظر از کربن استخلاف شده 95 ppm بدست آمد. واضح است که جابجایی nmr کربن استخلاف شده بوسیله هم تغییر ساختاری و هم اثرات الکترونی ناشی از گروه استخلاف می باشد. لذا بررسی بیشتر داده ها نشان می دهد که اختلاف ساختاری کربن های دور از استخلاف را نیز متاثر می کند در حالیکعه اثرات الکترونی گروه استخلافی بیشتر بر جابجایی شیمیایی کربن ها در مجاورت عامل استخلاف اثر می گذارد.

بتاگالیم اکساید فتوکاتالیستی است که با بهره پایینی متان و دی اکسید کربن را به هیدروژن و مونوکسید کربن تبدیل می کند. یکی از راه های افزایش بهرهء واکنش فتوکاتالیستی کاهش گاف انرژی و یا تسهیل حرکت الکترون از لایه والانس به لایه هدایت می باشد. در این کار تحقیقاتی اثر یون های داپ شده با شعاع های مختلف بر گاف انرژی بتاگالیم اکساید با روش dft و تقریب شیب تعمیم یافته و با استفاده از نرم افزار wien2k بررسی شده است. برای اینکار عناصری از گروه دوازدهم، سیزدهم و چهاردهم در سل واحد بتاگالیم اکساید داپ شد. نتایج حاصل از محاسبات نشان میدهد داپ عناصر گروه دوازدهم منجر به ایجاد دو نوار نیم پر بین نوار های کاملا پر و کاملا خالی می شود تراز فرمی تا حدی وارد نوار والانس شده است. داپ عناصر گروه سیزدهم منجر به جابجایی تراز فرمی نمی شود از این میان ایندینیم باعث کاهش و آلومینیم باعث افزایش گاف انرژی می شود. به بیان دیگر با افزایش شعاع اتم داپ شده از این گروه گاف انرژی کاهش می یابد و ترازهای نیم پر ظاهر نمی شود. داپ عناصر گروه چهاردهم باعث جابجایی تراز فرمی به سمت نوار هدایت می شود و منجر به ایجاد نوارهای نیم پر بین ترازهای کاملا پر و کاملا خالی می شود

در این کار تحقیقاتی میزان جذب گاز هیدروژن به روش مونت کارلو و ماژول sorption در برنامه متریال استودیو، تحت شرایط همدما با میدان نیروی universal و تحت دمای k77 و فشار 1 تا 100 کیلو پاسکال بر روی mof، (ucy-1) اندازه گیری شده است. درصد وزنی گاز جذب شده برابر 5/5% می باشد، که در مقایسه با مقدار آزمایشگاهی77/0%، تفاوت قابل توجهی دارد که با توجه به کارهای مشابه انجام شده در این راستا و همچنین مساحت سطح و حجم بالای این mof، میزان جذب گزارش شده در کار آزمایشگاهی دور از ذهن بوده و علت این تفاوت، خطای کار آزمایشگاهی به نظر می رسد. نمودار جذب همدما در فشارهای مختلف و در دمای k77 ترسیم شده است.