چکیده: با پیشرفت اسلام، مسلمانان تدریجاً با مللی آشنا شدند که نه تنها از لحاظ دینی و مذهبی با آنها فرق داشتند، بلکه ساختار اجتماعی و فرهنگی ایشان نیز از هم متفاوت بود. به همین جهت ضروری می نمود که برای برقراری ارتباط با این جوامع روش خاصی را اتخاذ کنند. بدین ترتیب قراردادهایی را با مفاهیم اسلامی ترتیب دادند که با توسل به آنها بتوانند افراد جوامع را به زیر سلطه خود بکشند. مسلمانان، مردم ملل مفتوحه را بین دو امر پذیرش اسلام و پرداخت جزیه مخیر می گذاشتند؛ اگر مغلوبین مسلمان نمی شدند و بر دین خود باقی می ماندند، باید هزینه حمایت خود از جانب مسلمانان را می پرداختند که همان جزیه است و پرداخت آن را طی قراردادی متعهد می شدند. افزون بر جنبه اقتصادی، طرفین تعهداتی دیگر نیز بهم می دادند، مانند اینکه متعرض هم نشوند و یا اینکه با هم در مسئله ای مشارکت کنند و یا از هم حمایت نمایند. اینگونه مفاد مختص اسلام نبود و قبل از اسلام، سایر کشورها و اقوام و حتی اعراب از آنها استفاده می کردند. پیامبر، خلفای راشدین و اموی هر کدام به نوبه خود بسته به شرایط زمانی، با افراد مختلف قراردادهایی را منعقد نموده اند که گاهی جنبه سیاسی و گاهی جنبه اقتصادی و اجتماعی داشتند. در این بین بیشتر، دغدغه های اقتصادی مد نظر مسلمانان بود، هرچند از ابتدا این، هدف آنها نبود. مسلمانان، هرچقدر از دوره پیامبر فاصله می گرفتند، به همان میزان از سنت پیامبر نیز دور می شدند. این مسئله به وضوح در مکاتبات و همچنین قراردادهای آنان قابل ملاحظه است. رفته رفته با گسترش اسلام، مسلمانان در مناطق مفتوحه با مسایل جدیدی روبرو شدند که هم محتوا و مضامین عهدنامه ها و هم سبک نگارشی آن را تحت تاثیر قرار دادند.

یکی از ملزومات مربوط به انتخاب یک قطعه الکترونیکی قدرت مناسب برای یک مبدل این است که قطعه باید دارای مقاومت درونی ویژه پائین باشد. مقاومت درونی ویژه ی قطعه دوقطبی به عرض بیس و غلظت ناخالصی ناحیه رانش دارای ناخالص کم ،وابسته است . این بدین معنی است که غلظت ناخالصی و عرض ناحیه بیس کم غلظت در یک قطعه دوقطبی باید با دقت بسیار زیاد تعیین شود تا بتوان به یک ولتاز شکست بهمنی و مقاومت درونی مطلوب دست یافت . به منظور تعیین پارامترهای فنی یک قطعه نیمه هادی ، یک تجزیه و تحلیل یک بُعدی به منظور محاسبه حداقل عرض ناحیه تخلیه برای بدست آوردن ولتاژ شکست در ساختارهای si ، sicو ganp+n-n+ استفاده می شود. بنابراین تحقیقاتی برای تعیین عرض بهینه لایه های تخلیه در ولتاژهای انسداد مختلف به منظور دستیابی به حداقل افت ولتاژ هدایت مستقیم انجام شده است . یک مدل یک بُعدی کامل برای محاسبه حداقل عرض لایه تخلیه برای بدست آوردن شکست یک ساختار p+n-n+ توسعه داده شده است و برای محاسبه عرض بهینه لایه تخلیه در ولتاژهای انسداد مختلف به منظور دستیابی به حداقل افت مستقیم مورد استفاده قرار گرفته است . نتایج نشان می دهد که محاسبه ضخامت های ناحیه رانش دارای ناخالصی کم و ولتاژ شکست مرتبط با آن و افت ولتاژهای مستقیم ، زمانی که ولتاژ بالایی به ساختار p+n-n+، با استفاده از روابط ساده شده ساختار p+n اعمال می گردد ، نادرست انجام می شود. این نتایج همچنان حداقل میزان غلظت ناخالصی ساختارهای p+n-n+ را نشان می دهند. تجزیه و تحلیل ها برای نمونه نشان می دهند که بهینه سازی غلظت ناخالصی به منظور کاهش vf مربوط به دیود si به مقدار kv 5 می تواند منجر به کاهش %12در افت مستقیم گردد، در حالیکه برای sic و gan این کاهش ناچیز و معمولا" کمتر از %1می باشد.بنابراین بهینه سازی افت ولتاز مستقیم بوسیله بهینه کردن غلظت ناخالصی مربوط به ولتاژهای شکست برای طراحی مناسب یک دیود si ضروری می باشد در صورتیکه برای قطعاتی با مواد دارای شکاف انرژی گسترده این بهینه سازی غیرضروری است . قسمت دوم پایان نامه در رابطه با مدل فیزیکی یک sic bjt و تصدیق اعتبار این مدل از طریق انجام شبیه سازی می باشد. راه حل فوریه برای حل معادله ade در ناحیه کلکتور ترانزیستور استفاده می شود. این مدل بواسطه simulink , matlab تحقیق یافته است . نتایج شبیه سازی عملکرد استاتیک و همچنین نتایج بهینه سازی شده مربوط به تغییرات شکل موج ها را بدست می آورند. با توجه به نتایج شبیه سازی و بهینه سازی شده می توان دریافت که مدل ویژگی های استاتیکی و تغییرات یک sic bjt را به خوبی نشان می دهد . با توجه به نتایج مربوط به شبیه سازی می توان تغییرات تلفات یک bjt را محاسبه نمود. اختلاف بین تغییرات تلفات شبیه سازی و بهینه سازی شده در طول حالت روشن و حالت خاموش به ترتیب %28/6 و %52/3 می باشد.

این پایان نامه یک معماری جدید را برای سازنده فرکانس بالا و عمدتاً با تمرکز در محدوده فرکانسی 60 گیگاهرتز پیشنهاد می کند. این معماری شامل یک حلقه فاز قفل شده(pll) همراه با یک نوسان ساز با تزریق قفل شده(ilo) است. به منظور تولید پالس های باریک و کاهش نسبت ضرب نوسان ساز با تزریق قفل شده(ilo) ، یک حلقه تاخیر قفل شده(dll) همراه با یک مولد پالس استفاده شده است. از خط تاخیری پسیو قرار گرفته در بالای اسیلاتور کنترل شده توسط ولتاژ با مخزن سلف و خازن(lc vco) برای بازده قدرت و از تکنیک بایاس replica فرکانس برای افزایش محدوده قفل کردن نوسان ساز با تزریق قفل شده(ilo) استفاده شده است. سازنده فرکانسی در فرکانس 60 گیگاهرتز و با نویز فاز 98- ، 117- ، و 128- dbc/hz به ترتیب در فرکانس های 1، 10، و 40 مگاهرتز کار می کند. کل توان مصرفی سازنده فرکانسی که از یک منبع 2/1 ولتی تغذیه می شود برابر با 57 میلی وات است.

آپ امپ ها در کارهای تحقیقاتی و صنعتی کاربردهای بسیاری دارند. همانطور که در مدارهای منطقی، گیت هایnand وnor سنگ بنای تمام مدارهای دیجیتال هستند، می توان آپ امپ ها را سنگ بنای اکثر مدارهای آنالوگ دانست. در این پایان نامه، یک تقویت کننده عملیاتی با استفاده از پروسه 32nm cmos ، ارائه و شبیه سازی می شود. این تقویت کننده با استفاده از منبع تغذیه 0.9 ولت کار می کند و مناسب جهت استفاده در کاربردهای کم ولتاژ است.این آپ امپ از پایداری خوبی برخوردار است و دارای حاشیه فاز 67 درجه و فرکانس بهره واحد 11 گیگا هرتز می باشد. زمان نشست در این آپ امپ در حدود 80پیکو ثانیه است. همچنین نویز در حدود 25u به دست می آید. از جمله دست آوردهای این پایان نامه، بررسی انواع روش های جبران سازی در تقویت کننده های آپ امپ، شبیه سازی جبران سازهای پس فاز و پیش فاز توسط نرم افزار matlab ، ارائه آپ امپ با پایداری مناسب و شبیه سازی آن توسط نرم افزار hspice است. کلمات کلیدی : تقویت کننده عملیاتی، جبران سازی آپ امپ، حاشیه فاز، پایداری

با توجه به تغییرات در نوع کارکرد، مقادیر ولتاژ و دما، تقریبا اکثر تقویت کننده ها به صورت حلقه فیدبک منفی طراحی شده اند تا ضمن کاهش اثرات ناشی از این تغییرات، پایداری تقویت کننده نیز حفظ شود. به علاوه از تقویت کننده های چند طبقه با بهره حلقه باز بالا برای تغذیه هدفون در تجهیزات الکترونیکی قابل حمل استفاده می شود. با توجه به تعداد زیاد تولید کنندگان هدفون، تقویت کننده های هدفون در معرض تغییرات گسترده در مقادیر بارهای خازنی و مقاومتی هستند که پایداری تقویت کننده را به چالش می اندازند. این تحقیق به طراحی و تحلیل طرح های تقویت کننده دو طبقه (فیدبک های گیت مشترک) و سه طبقه (ترمیم تطبیق امپدانس) می پردازد که جهت حفظ پایداری تقویت کننده گوشی تحت تاثیر تغییرات بار به کار گرفته می شوند. یک زمینه تحقیق مورد توجه و ویژه، پورت خروجی تجهیزات الکترونیکی جهت استفاده از هدفون است. در حالی که پورت خروجی وسایل الکترونیکی جهت نصب هدفون، معمولاً برای تحویل صداهای با کیفیت برای انواع مختلفی از هدفون ها طراحی می شود، بعضی مصرف کنندگان امروز انتظار دارند دستگاهشان قادر به وصل شدن به ورودی های مختلف دیگر تجهیزات، دستگاه های پخش صوتی و تصویری اتومبیل و گیرنده های صوتی باشند. این امر به لحاظ فنی یعنی این که دستگاه الکترونیکی دارای پورت خروجی جهت نصب هدفون، دارای تقویت کننده هدفونی باشد که بتواند بدون کاهش کیفیت صوتی با تنوع وسیعی از بارها کار کند. به دلیل نیاز به بهره حلقه باز زیاد، تقویت کننده هدفون با طرح چند طبقه ای در وسایل الکترونیکی جدید طراحی و به کار گرفته می شوند. داشتن بهره بالای حلقه باز، برای کاهش رفتار غیرخطی طیف فرکانسی صدا، در تقویت کننده با حلقه فیدبک منفی ضروری می باشد. همه تقویت کننده های هدفون مدرن جهت حفظ عملکرد خوب خود از فیدبک منفی برای کاهش اثرات تغییر نوع کارکرد، تغییر ولتاژ و دما استفاده می کنند. در حالی که استفاده از فیدبک منفی تقویت کننده را در مقابل تغییرات نوع کارکرد، تغییر ولتاژ و دما مقاوم می سازد، اما مشکلاتی برای پایداری تقویت کننده ایجاد می کند. به این دلیل طراحان مدارات الکترونیکی تکنیک های جبران سازی متنوعی برای حفظ پایداری تقویت کننده های چند طبقه ای با بهره بالا و با فیدبک منفی طراحی کرده اند. البته این طرح های پیشنهادی در کاربردهای با تغییرات بار با محدودیت همراه هستند. هدف طراحی ساخت پورت خروجی جهت نصب هدفون بسیار سازگار با دیگر وسایل الکترونیکی با استفاده از تقویت کننده چند طبقه ای است که در مقابل گستره وسیعی از بارها مقاوم باشد، اما تاکنون هیچ طرح تقویت کننده پایداری که بتواند تغییرات نامحدود بار را بپذیرد ارائه نشده است. بنابراین برای این که این مشکل عملی تر بیان شود، ما نیاز به معرفی انواع مختلف بارها داریم که تقویت کننده هدفون در تجهیزات مدرن با آن ها روبرو می شوند. بخش بعدی به بیان چگونگی تغییرات بار و معیارهای سنجش عملکرد می پردازد که در طراحی تقویت کننده مد نظر قرار خواهند گرفت. مدارهای دو طبقه قادر به فراهم کردن مقدار بهره متناسب با تقویت کننده های صوتی نمی باشند اما در تقویت کننده سه طبقه تطبیق امپدانس می توان به مدل پایداری دست یافت.

سیستم ترمز از مهمترین ارکان یک وسیله نقلیه بشمار می رود زیرا ایمنی وسیله نقلیه سرنشینان آن به عملکرد مناسب سیستم ترمز بستگی دارد. تخمین زده مش ود که ترمزهای یک خودرو به طور متوسط 50000 دفعه در سال عمل می کنند. ترمزها فقط چرخش مجموعه تایر/چرخ را متوقف وسیله نقلیه یا کم کردن سرعت آن می شود. سیستم ترمز یک مکانیزم جذب انرژی است که به هنگام متوقف کردن چرخها نیروهای چرخشی را به گرما تبدیل می کند. ترمزها باید تحت شرایط مختلف عملکرد و متناسب با نیاز خودرو و راننده و در هر لحظه بتوانند وسیله نقلیه را متوقف نمایند.