هدف از این رساله دست یابی به تکنولوژی رسد بلور نیمه هادی insb و اندازه گیری مشخصات ان و نهایتا ساخت اشکار سازهای فوتو رسانای insb می باشد. برای این منظور ضمن معرفی روشهای استاندارد رشد بلور با استفاد از روش برجیمن عمودی، نمونه هایی از تک بلور insb رشد داده شد. برای مقایسه این نمونه با نمونه های تجارتی، مشخصات بلور اندازه گیری قرار گرفت . این مشخصات عبارتند از تغییرات ثابت هال، رسانندگی، تحرک الکترون و حفره و اثر دما روی این مشخصات . میزان انعکاس اپیتیک برای طول موج های 2 تا 50 میکرون بر روی چند نمونه اندازه گیری شد و جرم موثر الکترون با استفاده از چگالی الکترونهای آزاد و نتایج بدست آمده از آزمایش انعکاس طیفی در هری کی از نمونه ها محاسبه گردید. همچنین از نحوه تغییرات تحرک با دما مکانیزم پراکندگی هر یک از نمونه ها مشخص شده است . با توجه به این نکته که برای ساخت اشکارسازهای فوتو رسانای insb، آشنایی با شاخصهای ارزیابی آشکارسازها، نوع تجهیزات و رادیومتری امواج مادون قرمز ضروری است برای بررسی دقیق هر یک از این موارد یک نمونه آشکار ساز تجارتی مورد اندازه گیری قرار گرفت تا با تحلیل نتایج، خواص الکتریکی بلور مورد نیاز تعیین شود.

سیلیسایدها توسط لایه نشانی فلز بر روی نیمرسانای سیلسیم و پخت آن بوجود می آیند. سیلیسایدها هواص فلزی دارند و در تماس با نیمرسانا اتصال شاتکی می سازند. چنانچه دیود شاتکی به این روش ساخته شود ایده آل خواهد بود. از آنجا که دیود شاتکی ptsi/si مزایای متعددی دارد این دیود شاتکی مورد مطالعه نظری و تجربی قرار گرفته است . چگونگی تشکیل لایه ptsi و محاسبه ارتفاع سد دیود شاتکی ptsi/si هدف این پروژه می باشد. پس از لایه نشانی pt بر روی سطح si و پخت آن ابتدا لایه pt2si و سپس لایه ptsi ایجاد می شود. وجود ناخالصی این روند و ترتیب را تغییر می دهد. ارتفاع سد دیود شاتکی ptsi/si علاوه بر مشخصات فیزیکی لایه های ptsi و si به شرایط ساخت یعنی زمان و دمای پخت ، مقدار و نوع ناخالصی بستگی دارد. در بخش تجربی این پروژه، لایه ptsi بوسیله دستگاه اسپاترینگ دانشگاه شهید بهشتی ساخته شده و مشخصات آن توسط دستگاه sem مورد بررسی قرار گرفته است . مدلی برای ترتیب و چگونگی تشکیل لایه های pt2si و ptsi با وجود ناخالصی اکسیژن و بدون ناخالصی ارائه شده است و براساس آن آهنگ رشد ضخامت این لایه ها شبیه سازی و با داده های تجربی مقایسه شده است . ضمنا مقدار ثابت پخت فیک ذرات pt در لایه های pt2si و ptsi بدست آمده است . ارتفاع سد دیود شاتکی ptsi/si توسط مدلی محاسبه شده و تغییرات آن برحسب مشخصات فیزیکی پیوندگاه و در نتیجه دما رسم گردیده است ، که نتایج محاسباتی با داده های تجربی همخوانی دارد. با در نظر گرفتن توزیع پیوسته و گوسی از مقادیر ارتفاع سد برای ارتفاع سد دیود شاتکی ptsi/si، رفتار این دیود شاتکی که بعنوان آشکارساز ir بکار می رود بطور کاملتر توجیه می شود. فرضیه ای توسط مطالب ارائه شده برای منشاء وجود این نوع ارتفاع سد ارائه شده است . در پایان روشی برای شبیه سازی مشخصه الکتریکی دیود شاتکی نیز تشریح شده است .