ایران چهارمین تولید کننده سیب زمینی از لحاظ مقدار تولید است. با توجه به سهم بالای ایران در صادرات و مصرف سیب زمینی در داخل، اهمیت بررسی کیفیت سیب زمینی های تولیدی به صورت پیوسته و در ابعاد وسیع در فرآیند جداسازی این محصول آشکار می شود. سیب زمینی در طول رشد و انبارمانی با آفت و خرابی-های متعددی روبه رو می شود، که برخی از این خرابی ها در اثر شرایط محیطی، رشد و یا در اثر تنش های مختلف مکانیکی بوجود می آیند، در نتیجه هیچ گونه اثری در سطح به جا نمی گذارند. برای تشخیص این دسته از خرابی ها، چندین روش موجود است که یکی از آن ها به کارگیری امواج مایکروویو است. ابتدا بر روی سه رقم سیب زمینی آگریا، آریندا و ساوالان خواص مکانیکی انجام گرفت، ضریب کشسانی، چغرمگی و سختی با استفاده از دستگاه آزمون مواد اندازه گیری شد. تغییر در دما و بافت اجزاء مختلف، خواص دی الکتریک اکثر محصولات کشاورزی را تغییر می دهد. در این تحقیق امواج مخابراتی با فرکانس های بالا به سمت نمونه مورد نظر فرستاده می شود که مقداری از این امواج توسط نمونه جذب شده و بقیه برگشت داده می شوند. میزان جذب موج فرستاده شده توسط نمونه، به جنس (بافت)، دمای نمونه و فرکانس موج اولیه بستگی دارد که با درجه بندی آن می توان ثابت دی الکتریک نمونه را اندازه گیری نمود. برای اندازه گیری ثابت دی الکتریک سیب زمینی از سامانه خط انتقال اتصال کوتاه استفاده شد. ثابت های دی الکتریک با دو سطح کیفیتی سالم و ناسالم، با اعمال دو سطح دمایی 0 و 25 درجه سانتی گراد و سه سطح فرکانسی 915، 1800 و 2450 مگاهرتز اندازه گیری گردید. نتایج به دست آمده از اندازه گیری ثابت های دی الکتریک نشان می دهد که اختلاف معنی داری بین فرکانس ها و همچنین دماهای مختلف به اندازه 1 درصد وجود دارد. با افزایش دما ثابت دی الکتریک افزایش می یابد. همچنین نتایج آزمایش های مختلف نشان می دهد که در دماهای بالاتر سیب زمینی، با افزایش فرکانس ثابت دی الکتریک کاهش می یابد ولی این روند در دماهای پایین تر به دلیل تأثیر دو دسته رطوبت آزاد و مقید در خاصیت عایقی الکترومغناطیس، کاملاً عکس است به طوری که هر چه فرکانس افزایش می یابد ثابت دی الکتریک نیز افزایش می یابد.

سیب زمینی در طول رشد و انبارمانی با آفت و خرابی های متعددی روبه رو می شود. برخی از این خرابی ها در اثر شرایط محیطی و رشد و یا در اثر تنش های مختلف مکانیکی بوجود می آیند. برای تشخیص این دسته از خرابی ها ، چندین روش موجود می باشد که یکی از آن ها بکارگیری امواج مایکروویو است. در این تحقیق با استفاده از امواج مایکروویو و اندازه گیری ثابت دی الکتریک برای تشخیص خرابی های داخلی سه رقم سیب زمینی ( آگریا، سانته و سانتانا) بکار گرفته شد. برای اندازه گیری ثابت دی الکتریک سیب زمینی از سامانه خط انتقال اتصال کوتاه استفاده شد. ابتدا بر روی این ارقام بررسی خواص مکانیکی و شیمیایی انجام گرفت. ضریب کشسانی، نیروی گسیختگی، چغرمگی و سختی با استفاده از دستگاه آزمون مواد اندازه گیری شد و سپس ph و tss آن ها با استفاده از آزمون های شیمیایی بدست آمد. در مرحله بعد ثابت های دی الکتریک سیب زمینی با دو سطح کیفیتی سالم و ناسالم، با اعمال سه سطح رطوبتی (%w.b. 80 و 70 ،60) و سه سطح فرکانسی (mhz 2450 و 1800 ،915) اندازه گیری گردید. نتایج حاصله نشان داد که اختلاف معنی داری بین ارقام مختلف سیب زمینی برای ضریب کشسانی، سختی و tss در سطح احتمال 1% و برای نیروی گسیختگی و چغرمگی در سطح احتمال 5% وجود دارد، ولی این اختلاف برای ph وجود ندارد. بیشترین مقادیر ضریب کشسانی و سختی برای رقم آگریا به ترتیب mpa 645/0 و n/mm 404/18 و همچنین چغرمگی و نیروی گسیختگی به ترتیب kj/m3 3/17 و kn470/0 برای رقم سانتانا بدست آمد. همچنین نتایج بدست آمده از اندازه گیری ثابت های دی الکتریک نمونه ها نشان می دهد اختلاف معنی داری بین فرکانس ها و همچنین رطوبت های مختلف در سطح 1% وجود دارد. با افزایش رطوبت، ثابت دی الکتریک افزایش یافت. همچنین نتایج آزمایش های مختلف نشان می دهد که در رطوبت های بالاتر سیب زمینی، با افزایش فرکانس، ثابت دی الکتریک کاهش می یابد ولی این روند در رطوبت های پایین تر به دلیل تأثیر دو دسته رطوبت آزاد و مقید در خاصیت عایقی الکترومغناطیسی، کاملا عکس می باشد، بطوریکه هرچه فرکانس افزایش یابد ثابت دی الکتریک نیز افزایش می یابد. محدوده مقادیر ثابت دی الکتریک اندازه گیری شده، بین 3/50 تا 3/61 با دقت اندازه گیری 01/0 بدست آمد. بیشترین مقادیر ثابت دی الکتریک بدست آمده برای سیب زمینی های سالم برای رقم آگریا 6/57 ، سانته 23/61 و سانتانا 1/59 و همچنین برای سیب زمینی های ناسالم رقم آگریا 6/55، سانته 03/59 و سانتانا 6/57 در فرکانس mhz 915 و سطح رطوبتی 80% بدست آمد.