در حال حاضر دو فناوری در ساخت سلول های خورشیدی غالب است: فناوری نسل اول و نسل دوم. فناوری نسل اول بر پایه ویفرهای سلیکونی با ضخامت µm300-400 است. تکنولوژی نسل دوم یا تکنولوژی لایه نازک، براساس لایه نشانی نیمه هادی روی بسترهای شیشه ای، فلزی یا پلیمری، در ضخامت های nm100 است و با قابلیت هایی مانند انعطاف پذیری و هزینه مواد اولیه پایین تر اندازه ی سلول تا 100 برابر بزرگتر از اندازه سلول ساخته شده با تکنولوژی نسل اول برای مصارف غیرصنعتی مناسب هستند. بازده سلول های نسل اول که اغلب سلول های بازار را تشکیل می دهند به دلیل کیفیت بالاتر مواد، از بازده سلول های نسل دوم بیشتر است. انتظار می رود اختلاف بازده میان سلول های دو نسل با گذشت زمان کمتر شده و تکنولوژی نسل دوم جایگزین نسل اول شود. در این پایان نامه روش های افزایش بازده سلول های خورشیدی ارگانیک بررسی شده و یک روش پیشنهاد و بهبود داده شده است. در این پایانامه روش استفاده از به دام انداختن هندسی نور و طراحی های لایه ی فعال خود افزاینده برای افزایش جذب نور بررسی شده و داده های موجود با استفاده از روش درون یابی از مراجع [11] و [12] بدست آمده و این داده ها با استفاده از جعبه ابزار curve fitting نرم افزار مطلب روی یک سری منحنی منطبق شده و سپس معادلات این منحنی ها با کمترین خطا و درجه انتخاب شده و با ترکیب این معادلات، معادلات مورد نظر از جمله جذب، بازده کوانتومی خارجی، بازده در ساختار دام انداختن هندسی نور و متوسط جذب، بازتاب پذیری، قدرت جذب در واحد حجم در ساختار طراحی های لایه ی فعال خود افزاینده در این کار بدست آورده شده است. سپس نقاط بهینه معادلات برای بدست آوردن ساختار مطلوب با استفاده از نرم افزار مطلب بدست آورده شده است.

در این تحقیق ، به مطالعه بر روی مراجع ولتاژ پرداختیم با استفاده از جریان زیر آستانه ماسفت ها و روش مفهوم اصل ولتاژ باندگپ معکوس (البته با در نظر گرفتن بتا ترانزیستور اتصال دوقطبی) ، مداری طراحی کردیم که قادر به جبران دمایی مرتبه دوم بود. هدف پیشنهادی این پایان نامه ، توسعه مرجع ولتاژ باندگپ با ترجیحا عملکرد ولتاژ پایین و همچنین تضمین پایداری در ولتاژ مرجع بود. با استفاده از نرم افزار hspice و شبیه سازی مدار پیشنهادی، نواحی عملکرد مناسب ترانزیستورها را تعیین کردیم، سپس به مطالعه روش های انجام شده از گذشته تا به امروز پرداختیم و نتایج بدست آمده از مدار پیشنهادی را با روش های قبلی مقایسه کردیم و مشاهده کردیم که روش مفهوم اصل ولتاژ باندگپ معکوس در محدوده دمایی مشابه به نسبت عدم پذیرش منبع تغذیه بالاتر و ضریب دمایی بسیار پایین تری دست یافته است در نتیجه در این پژوهش نیز با بکارگیری همان روش (البته با در نظر گرفتن بتا ترانزیستور اتصال دوقطبی) در مدار پیشنهادی به ضریب دمایی ، 2.2137 ppm/? و نسبت عدم پذیرش منبع تغذیه -185.8 دسی بل در محدوده دمایی 0 تا 83 درجه سانتیگراد دست یافتیم.

امروزه نیاز گسترده ای در صنعت برای تحلیل مستقیم مشخصات داخلی طرح های فرایندی به منظور بهبود طراحی و عملکرد تجهیزات وجود دارد. ابزار اندازه گیری برای چنین کاربردهایی باید از سنسورهای قوی استفاده کنند که اگر نیاز باشد، در سیال های تهاجمی، حرکت سریع و چند فازی مخلوط، با دقت و سرعت عمل کنند. پردازش یا توموگرافی صنعتی با استفاده از اطلاعات کمی دقیق از موقعیت های دور از دسترس سروکار دارد. نیاز برای توموگرافی، مشابه نیاز پزشکی برای اسکن کردن بدن است، که بوسیله پیشرفت های کامپیومتری به کمک توموگرافی فراهم شده است. فرایند توموگرافی، عملکرد و طراحی اداره ی فرایندهای مخلوط چند جزئی را بوسیله مرز بندی بین اجزای مختلف در یک فرایند بهبود خواهد داد تا تصویر برداری با استفاده از سنسورها صورت گیرد.از سیستم های توموگرافی مختلف، در این پایان نامه سیستم توموگرافی خازنی یا ect بررسی شده است.

چکیده ندارد.