با توجه به نقش بسیار مهمی که امروزه سنسورهای نیمه هادی دقیق و پیشرفته در فعالیتهای گوناگون علمی ، صنعتی پژوهشی ، تجاری و ... عهده دار می باشند. در این پایان نامه روند طراحی و ساخت یکی از پرکاربردترین آنها یعنی سنسور فشار نیمه هادی ، با استفاده از پیزو مقاومتهای نفوذ داده شده ، مورد بررسی قرار گرفته و همچنین نظریه ها و روابط اساسی مربوطه بعنوان ابزار اصلی طراحی بیان می گردند. مساله اصلی طراحی انتخاب مقدار بهینه برای نسبت طول به ضخامت دیافراگم سنسور به منظور رسیدن به مشخصات مطلوب خطی بودن و حساسیت برای آن می باشد. در ادامه نیز نحوه محاسبه و آرایش مقاومتهای نفوذی ، زدایش دیافراگم کنترل ضخامت آن و فرایند عملیاتی ساخت سنسور به همراه ماسکهای مورد نیاز ارائه خواهند شد. در پایان نتایج شبیه سازی کامپیوتری معادلات ریاضی حاکم بر رفتار سنسورها ی فشار نیمه هادی ارائه می گردد.