نام پژوهشگر: روشنک کلانتری

بررسی فونونی و پراکندگی رامان برانگیخته سطحی نانو بلور ktp رشدیافته به روش پچینی
پایان نامه وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تربیت مدرس - دانشکده علوم پایه 1390
  روشنک کلانتری   رسول ملک فر

هدف اصلی از نگارش این پایان‎نامه ارائه گزارشی از روش تهیه و مشخصه یابی نانو بلور ktp (ktiopo4) می باشد. در مرحله نخست نانو بلور ktp توسط روش پچینی تهیه گردید. تصویر برداری sem، پراش پرتو ایکس، طیف‎سنجی رامان و پراکندگی رامان برانگیخته سطحی و طیف‎سنجی uv/vis به منظور مطالعه ریخت شناسی، ساختار، خواص الکتریکی و ارتعاشی نمونه نانو بلور تهیه شده مورد استفاده قرار گرفت. طیف سنجی مرتبه اول پراکندگی رامان محلول 01/0 مولار ktp با قله های بسیار ضعیف رامان ثبت گردید. هرچند طیف های sers ثبت شده با استفاده از زیر لایه های مختلف ارتقای زیادی را نشان می دهند. شاخص ها و نتایج ارتقا برای زیر لایه های مختلف بررسی و مقایسه شدند. زیر لایه‎های مختلفی که به منظور بررسی sers در این پایان‎نامه تولید و استفاده گردیده است عبارتند از: نانو ذرات کلوئید نقره، دندریت‎های نقره خودسامانده بر روی مس و آلومینیوم، زیر لایه ورق صافی پوشیده شده با نانو ذرات نقره کلوئیدی، زیر لایه شیشه ای پوشیده شده با نانو ذرات کلوئید نقره به کمک روش لایه نشانی چرخشی، زیر لایه ورق صافی پوشیده شده با نانو ذرات نقره، زیر لایه شیشه پوشیده شده با نانو ذرات کلوئید نقره به کمک روش لایه نشانی چرخشی. علاوه بر این برخی از زیر لایه‎ها با تصویر برداری sem و طیف‎سنجی uv/vis مورد بررسی از لحاظ ریخت شناسی و ساختار الکتریکی، قرار گرفتند.