اغلب وسـایل نیمرسـانای مهـم بر اساس انتقال حفـره به عنـوان جریان غالب حامل¬ها عمل می¬کنند. ترانزیستورهای دوقطبی، ترانزیستورهای اثر میدانی کانال p، ترانزیستورهای دوقطبی چند عنصری از این جمله¬اند. به علت تبهگنی در k =0، و برهمکنش بین نزدیکترین نوارها، وارد کردن اثر ناسهمی گونی و واپیچش در محاسبات مربوط به خواص انتقال حفره ها در سیلیکان و ژرمانیوم مهم است. این تحلیل بویژه هنگامیکه تبهگنی با در¬نظر گرفتن سه نوار متفاوت ظرفیت (حفره های سنگین، سبک و شکافتی) لحاظ شود بسیار جالب¬تر و پیچیده¬تر می¬شود. محاسبات انتقال حفره در سیلیکان با استفاده از دو رهیافت مختلف قبلا گزارش شده است؛ که اولی قله نوار ظرفیت را در یک تقریب جرم موثر ساده مدل¬سازی می کند و دومی ساختار نوار کامل را با دنبال کردن یک روش شبه پتانسیل تجربی محلی بکار می¬برد. در کار دیگری نیز که شامل نا¬سهمی¬گونی در سیلیکان بود توابع تکه¬ای جهت مطالعه دقیق ترابرد حفره بکار گرفته شد. به هرحال بکا¬ر¬گیری این روش¬ها منجر به ارائه نتایج غیر¬فیزیکی در چگالی حالت¬ها و احتمالات پراکندگی شد. در این پایان¬نامه یک مدل تحلیلی امتحان شده جهت محاسبه نوار¬های ظرفیت سه گانه si و ge ارائه می¬کنیم، که این کاستی¬ها را نداشته باشد. برای این کار از روابط پاشندگی با لحاظ دقیق نا¬همسانگردی و نا-سهمی¬گونی جهت ارزیابی تحلیلی انرژی بر حسب تابع صریحی از بردار موج استفاده کرده¬ایم. نشان می¬دهیم که بیشترین اختلاف بین انرژی حفره سنگین و سبک برای si و ge در جهت ]111 [با بیشترین مقدار تابع زاویه¬ای g(θ,ϕ) (برای si، 6822/0 و برای ge، 8504/0) و کمترین اختلاف در جهت]100 [با کمترین تابع زاویه¬ای (برای si، 1848/0 و برای ge، 6338/0) می¬باشد.

ساختارهای دور آلاییده در طراحی، مطالعه و عملکرد ترانزیستورهای اثر میدانی ( fet)کاربرد دارند. به دلیل ناپیوستگی نوار ظرفیت یا رسانش یک چاه کوانتومی شکل می گیرد، که باعث ایجاد یک گاز حامل دو بعدی در فصل مشترک ناهمگون این ساختارها می شود. به دلیل جدایی فضایی بین حامل های آزاد دو بعدی و ناخالصی های یونیده در ساختارهای دور آلاییده برهمکنش کولنی کاهش یافته و در نتیجه پراکندگی ناشی از ناخالصی های یونیده کاهش و به تبع آن تحرک پذیری حامل های آزاد دو بعدی افزایش می یابد. چگالی سطحی گاز حامل دو بعدی به پارامترهای ساختار مثلاٌ ضخامت لایه جداگر، چگالی سطحی بارهای لایه پوششی، ضخامت لایه پوششی و غیره وابسته است. علاوه بر این در ساختارهای دور آلاییده دریچه دار با تغییر ولتاژ دریچه چگالی سطحی گاز حفره ای یا الکترونی قابل کنترل می باشد. یکی از سازوکار هایی که در دماهای پایین موجب پراکندگی می شود، پراکندگی آلیاژی است که به دلیل آلیاژی بودن لایه کانال ساختار دور آلاییده سبب کاهش تحرک پذیری می شود. ساختارsige، si/sige/si آلیاژ می باشد و ساختارgaas،algaas/gaas/algaas غیرآلیاژی است، نفوذ al بر اثر پدیده واماندگی به درون کانال باعث آلیاژی شدن لایه کانال گردیده و پراکندگی آلیاژی را در این گونه ساختارها نیز مشاهده می کنیم. در این پایان نامه، پراکندگی آلیاژی و عوامل موثر در این نوع پراکندگی مانند پتانسیل آلیاژی و درصد آلیاژی و اثر پراکندگی کولنی ناشی از ناخالصی های یونیده دور و ناخالصی های باردار زمینه بر تحرک پذیری گاز الکترونی یا حفره ای دو بعدی2deg/2dhg حامل در ساختارهای دور آلاییده si/sige و algaas/gaas به طور نظری محاسبه شده اند.

امروزه فناوری نانو نقش بسیار مهمی در صنایع پیدا نموده است و بسیاری معتقدند که فناوری نانو، فناوری غالب عصر آینده خواهد بود و به همین علت بسیاری از کشورها سرمایه گذاری های سنگینی در این زمینه نموده اند. اولین گام در این فناوری تولید نانوذرات، نانولوله ها، نانوسیم ها، نانولایه ها و بطور کل نانوساختارها می باشد. در میان انواع روش های تولید نانوذرات روش خودچیدمان به عنوان روشی جدید و پیشرو در سالهای اخیر مطرح گردیده و توجه بسیاری را بخصوص در برآورده نمودن آرزوی ساخت ماشینهای مولکولی، بخود جلب نموده است. خودچیدمان به عنوان روشی برای چینش ذرات برای به دست آوردن ساختاری از پیش تعیین شده ، مزایای کاربردی ویژه ای مانند موازی بودن و در نتیجه سرعت بالای تولید ، بالابودن دقت ، امکان ایجاد ساختارهای سه بعدی و امکان کنترل فرایند به سمت مورد نظر با استفاده از نیروهای خارجی را دارد. هدف این پایان نامه آن است که در ابتدا به جمع آوری و طبقه بندی روشهای تولید نانوساختارهای خودچیدمان پرداخته و بطور اجمال معرفی گردند، تا بتواند به عنوان مرجعی اولیه برای کلیه دانشجویان و محققین علاقه مند این حوزه ، مورد استفاده قرار گیرد. در ادامه، به تولید نانوذرات نقره به روش بیوسنتز پرداخته خواهد شد و اصول و شرح این آزمایشات ارائه می گردد. سپس برای تکمیل آزمایشات و هرچه کاربردی تر نمودن این پژوهش، خصوصیات فیزیکی نانوذرات تولیدی را مورد بررسی قرار داده و تاثیر پارامترهای اصلی آزمایش نظیر زمان، غلظت محلول و دما را بر میزان تولید نانوذرات نقره ارائه می شود. در پایان نیز به بررسی پایداری و نحوه کنترل ابعاد نانوذرات از طریق کنترل میزان غلظت نیترات نقره پرداخته و تحلیلی از نتایج بدست آمده را ارائه نموده ایم.

چکیده ندارد.