نانو کپسول ها نانو ذراتی هستند که دارای یک پوسته و یک فضای خالی در حد نانومتراند و می توان مواد مورد نظر را درون آنها قرار داد و کپسوله کرد. یکی از کاربردهای این دسته از مواد مسئولیت انتقال دارو به بافت خاصی از بدن است. از دیگر موارد کاربرد این مواد در نانو الکترونیک است بطوری که تحقیقات به عمل آمده نشان داده است که اتصالات نانوکپسول کربنی به عنوان رساناهای کوانتیده رفتار می کنند. یکی از عوامل موثر در عملکرد این کپسول ها اثرات ناخالصی است. بطور مثال ترکیبات نانو کپسول ها با فلزات قلیائی منجر به تولید ابر رساناها می شود. در این پایان نامه می خواهیم با استفاده از هامیلتونی بستگی قوی، فرمولبندی تابع گرین و محاسبه آن به روش مومنت و همچنین مدل منتسب به لیف شیتس، اثرات بی نظمی جانشینی را ناشی از توزیع ناخالصی بررسی کنیم. برای این منظور از نمونه های مختلفی از نانوکپسول های کربنی استفاده می کنیم. سپس اثرات یک تک ناخالصی و همچنین ناخالصی با غلظت معین را روی چگالی حالتهای الکترونی بررسی می کنیم. چگالی حالتها یکی از مهمترین کمیتهای است که در ترابرد الکتریکی نقش مهمی دارد و با مطالعه طیف الکترونی، می توانیم دیگر خواص الکترونی را بررسی کنیم. نتایج بدست آمده نشان می دهد که ناخالصی باعث تغییر در طیف حالتهای الکترونی شده و قویاً به غلظت ناخالصی وابسته است و با افزایش ناخالصی قله چگالی حالتهای الکترونی جابجا شده و پهنای آنها افزایش می یابد.