در پروژه حاضر، دو دسته شبیه سازی در مجموعه آماری همدما، همفشار، هم سطح (napt) صورت گرفته است. در این شبیه سازی ها اتم های ar با تعداد (n=50-350)، بین سطوح fcc (100) محدود شده اند. در این کار تنها ناحیه محدودشده در napt ثابت شبیه سازی می شود، که در آن مولفه موازی فشار ثابت و مشابه با سیال توده است. طول جعبه شبیه سازی در جهت عمود نسبت به سطوح محدود کننده تغییر می کند تا مولفه موازی فشار مورد نظر حاصل شود. در این شبیه سازی ها، ضریب نفوذ انتقالی موازی با سطوح محدود کننده برای اتم های ar محدود شده به تعداد (n=50-350)، در فشارهای p=20/37 mpaو p=0/1675 gpa ، از شیب متوسط مربع جابجایی موازی با سطح نسبت به زمان محاسبه می شوند. سپس ضریب نفوذ موازی برای این سیستم ها در برابر پهنای شکاف رسم می شود. مقایسه مقادیر ضریب نفوذ موازی بعنوان تابعی از فاصله بین سطوح محدود کننده با نیروی حلالپوشی نشان داد که ضریب نفوذ موازی برعکس نیروی حلالپوشی نوسان می کند. نتایج نشان داد که فیلم های نامنظم ضرایب نفوذ بزرگتری دارند در حالی که فیلم های منظم ضرایب نفوذ کوچکتری دارند. به عبارتی چگالی فیلم های منظم فضای آزاد را برای حرکت مولکولها کاهش داده و در نتیجه ضریب نفوذ انتقالی کاهش می یابد.