چکیده کشف گرافین و ویژگی‎های استثنائی ِ الکترونیکی و مغناطیسیِ آن توجه بسیاری از دانشمندان را به خود جلب کرده است.در این میان، مشتقات گرافینی از جمله نانوروبان‎های گرافینی و ریزساختارهای نانومتری آن برای استفاده در صنایع اسپبن‎الکترونی و نانوالکترونیکی مناسب هستند.مطالعات نظری نشان می‎دهند که مغناطش در این سیستم‎ها به دلایل مختلف مثل کاهش ابعاد یا در اثر بی‎نظمی و تهی‎جای‎ها ایجاد می‎شوند. با استفاده از مدل هابارد در تقریب میدان میانگین مغناطش در ریزساختارهای نانومتری گرافینی‎ِصفربعدی، نانوروبان‎های گرافینی ِ یک بعدی و گرافین انبوهه بررسی شد. در میان ریزساختارهای نانومتری گرافینی شکل‎های مثلثی ،پاپیونی و کورونن مطالعه شده‎اند و در مورد این‎که چگونه شکل آن‎ها و ناهماهنگی در تعداد اتم‎هایی که به هر زیرشبکه تعلق دارد منجر به ایجاد حالت‎های با انرژی صفر و در نتیجه مغناطش در این سیستم‎ها می‎شود؛ مطالعه شده است. ایجاد حالت‎های شبه‎جایگزیده در سطح فرمی ِنانوروبان‎های دسته‎صندلی و گرافین انبوهه در اثر ایجاد نقص که منجر به ایجاد ممان‎های مغناطیسی ِ موضعی می‎شود؛ نیز بررسی شد. با در نظرگرفتن ِ مدل هابارد توسعه‎یافته در تقریب میدان میانگین حالت‎های اسپین‎قطبیده و بارقطبیده که به ترتیب در اثر دافعه‎ی کولمب جایگاهی‎،u،‎ و دافعه‎ی کولمب نزدیکترین همسایگان‎،v،‎ در نانوروبان‎های گرافینی ِ زیگزاگ ایجاد می‎شوند؛ بررسی شد. در پایان اثر بی‎نظمی بر چگالی حالات نانوروبان گرافینی زیگزاگ را با در نظر گرفتن مدل بی‎نظمی اندرسون به همراه مدل تنگابست نزدیکترین همسایگان و مدل هابارد میدان میانگین بررسی کردیم.