نیروی بازیابی و تغییر شکل بالا از مزایای آلیاژهای حافظه دار می باشد. استفاده از آلیاژهای حافظه دار لایه نازک به علت افزایش نسبت سطح به حجم باعث بهبود سرعت پاسخ و زمان بازیابی می گردد. آرایه هایی از نانو سیمهای مسی (هدایت حرارتی بالا) بر روی آلیاژهای حافظه دار لایه نازک، می تواند به منظور انتقال سریعتر حرارت به این آلیاژها و در نتیجه بهبود زمان پاسخ دهی مورد استفاده قرار گیرد. در این پایان نامه چگونگی سنتز نانو ساختارهای تک بعد مسی بر روی آلیاژ حافظه دار لایه نازک مورد بررسی قرار می گیرد. ابتدا به منظور دستیابی به قالبی مناسب جهت سنتز نانو سیمهای مسی، آلیاژ های لایه نازک حافظه دار نیکل – تیتانیوم در محلول اسید استیک و با اعمال ولتاژ 2 تا 10 ولت در دمای محیط آندایز شد. همچنین آندایزینگ این آلیاژها در محلول حاوی یونهای فلوئور در ولتاژهای 20، 25 و 30 ولت انجام شد. بدلیل عدم دستیابی به قالبی مناسب در نتیجه آندایزینگ نیکل – تیتانیوم لایه نازک، از آندایزینگ آلومینیوم لایه نازک 500 نانومتری که بوسیله روش کند و پاش بر روی آلیاژ حافظه دار نیکل – تیتانیوم لایه نشانی گردید، استفاده شد. بوسیله روش آندایزینگ آلومینیوم لایه نازک در ولتاژ 30 ولت و دمای 15 درجه سانتی گراد و ایجاد حفرات نانومتری، قالبی مناسب جهت سنتز نانو سیمهای مسی ایجاد گردید. سنتز نانو سیمهای مسی درون قالبهای آلومینیوم آندایز شده و بر روی آلیاژ حافظه دار لایه نازک انجام شد. بررسیهای صورت گرفته بوسیله میکروسکوپ الکترونی روبشی و دستگاه پراش اشعه ایکس از آندایزینگ نیکل - تیتانیوم لایه نازک در اسید استیک نشان دادند که لایه اکسیدی بر روی سطح آلیاژ تشکیل می گردد. تصاویر میکروسکوپ الکترونی روبشی نشان دادند که آندایزینگ آلومینیوم لایه نازک در ولتاژ 30 ولت و در دمای 15 درجه سانتی گراد منجر به تولید حفرات 60 نانومتری منظم می گردد. رسوب الکتروشیمیایی مس در درون حفرات نانومتری قالب لایه نازک منجر به تولید نانو سیمهای مسی شد که با حذف آلومینای آنها بصورت جزیی، توسط میکروسکوپ الکترونی روبشی قابل رویت شدند.